|
K2930 даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk2930». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K2930 | Hitachi Semiconductor |
MOSFET ( Transistor ) - 2SK2930 2SK2930
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-553C (Z) 4th. Edition Jun 1998 Features
• Low on-resistance R DS =0.020 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
TO–220AB
D
G
1 2 S 3
1. Gate 2. Drain(Flange 3. Source
2SK2930
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Drain to source voltage Gate to source voltage Drain current Drain peak current Body-drain diode reverse drain current Avalanche current Avalanche energy Channel dissipat |
Это результат поиска, начинающийся с "2930", "K2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N2930 | New Jersey Semiconductor |
Diode 0.015A 3-Pin TO-18 |
|
1N2930A | New Jersey Semiconductor |
Diode 0.015A 3-Pin TO-18 |
|
232266293074 | Vishay Siliconix |
PTC Thermistors
2322 66. 9....
Vishay BCcomponents
PTC Thermistors, Overload Protection For Telecommunication
FEATURES
PRIMARY PROTECTION (OPTIONAL) +θ PTC subscriber lines +θ SECONDARY PROTECTION +θ PTC voltage clamp +θ PTC MDF SUBSCRIBER LOOP INTERFACE CIRCUIT (SLIC) |
|
2SK2930 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK2930
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-553C (Z) 4th. Edition Jun 1998 Features
• Low on-resistance R DS =0.020 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
TO–220AB
D
G
1 2 S 3
1. Gate 2. |
|
AMS2930 | Advanced Monolithic Systems |
150mA LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATOR Advanced Monolithic Systems
FEATURES
• 5V and Adjustable Versions Available* • Output Current in excess of 150mA • Very Low Quiescent Current • Reverse Battery Protection • Input-output Differential less than 0.6V • Short Circuit protection • Internal Thermal Overlo |
|
BYV29300M | Seme LAB |
HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS BYV29–300M BYV29–400M BYV29–500M
MECHANICAL DATA Dimensions in mm
0 .8 9 (0 .0 3 5 ) m in . 3 .7 0 (0 .1 4 6 ) 3 .4 1 (0 .1 3 4 )
1 0.6 0.8
4.6
3 .7 0 (0 .1 4 6 ) 3 .4 1 (0 .1 3 4 ) 4 .1 4 (0 .1 6 3 ) 3 .8 4 (0 .1 5 1 )
3 .6 0 (0 .1 4 2 ) M a x .
HERMETICALLY SEALED FA |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |