DataSheet26.com


K2875-01 даташит

Функция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk2875-01».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K2875-01 Fuji Electric
Fuji Electric
  MOSFET ( Transistor ) - 2SK2875-01

2SK2875-01 FAP-IIS Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Repetitive Avalanche Rated N-channel MOS-FET 500V 1,5Ω ±6A 50W > Outline Drawing > Applications Switching Regulators UPS DC-DC converters General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics - Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified Item Drain-Source-Voltage Continous Drain Current Pulsed Drain Current Gate-Source-Volta
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2875", "K2875"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SK2875-01 Fuji Electric
Fuji Electric

N-channel MOS-FET

2SK2875-01 FAP-IIS Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Repetitive Avalanche Rated N-channel MOS-FET 500V 1,5Ω ±6A 50W > Outline Drawing > Applications Switching Regulators U
pdf
BR3DG2875M Blue Rocket Electronics
Blue Rocket Electronics

Silicon NPN transistor

KTC2875(BR3DG2875M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. 特征 / Features EB 击穿电压高,反向放大高(典型值 150),导通电阻低(IB=5mA 时典型值为
pdf
CA2875CR Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

RF Line / Wideband Liner Amplifier

pdf
CA2875R Motorola Semiconductors
Motorola Semiconductors

RF Line / Wideband Liner Amplifier

pdf
CA2875R TRW
TRW

Thin Film RF Liner Hybrid Amplifier

pdf
GMA2875C QT Optoelectronics
QT Optoelectronics

2.0 5X7 DOT MATRIX DISPLAYS

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты