|
K2779 даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk2779». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K2779 | Sanken |
MOSFET ( Transistor ) - 2SK2779 2SK2779
Absolute Maximum Ratings
Symbol VDSS VGSS ID ID (pulse) *1 PD EAS *2 I AS Tch Tstg Ratings 100 ± 20 ± 20 ± 80 35 (Tc = 25ºC) 200 20 150 –55 to +150
(Ta = 25ºC)
External dimensions 1 ...... FM20
Electrical Characteristics
Symbol V(BR) DSS I GSS I DSS VTH Re (yfs) RDS (on) Ciss Coss Crss t d (on) ºC tr t d (off) tf VSD 1.0 12 20 60 75 1630 480 180 20 90 120 55 1.0 1.5 80 95 min 100 Ratings typ max ± 100 100 2.0 Unit V nA µA V S mΩ mΩ pF pF pF ns ns ns ns V I SD = 20A, VGS = 0V I D = 10A, VDD 50V, RL |
Это результат поиска, начинающийся с "2779", "K2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N2779 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 30A 3-Pin TO-63 |
|
2N2779 | SSDI |
NPN Transistor 30 AMP NPN(continued)
Sorted by IC, then VCEO
Part Number
mIaCx (A)
mVCaExO (V)
Ratings based on 25˚C case temperature unless otherwise specified
mhFiEn
mhaFEx
@Ic (A)
VmCEa(sxat) (V)
@(A)IC
mfTin (MHz)
mPaTx
*TC=100°C
(W)
Package
2N5931
30
160 20 100 Note 1 2
N |
|
2SK2779 | Sanken electric |
MOSFET ( Transistor ) 2SK2779
Absolute Maximum Ratings
Symbol VDSS VGSS ID ID (pulse) *1 PD EAS *2 I AS Tch Tstg Ratings 100 ± 20 ± 20 ± 80 35 (Tc = 25ºC) 200 20 150 –55 to +150
(Ta = 25ºC)
External dimensions 1 ...... FM20
Electrical Characteristics
Symbol V(BR) DSS I GSS I DSS VTH Re (yfs) R |
|
ASM3P2779A | Alliance Semiconductor Corporation |
Low Power Peak EMI Reducing Solution September 2005
rev 3.0
ASM3P2779A
Low Power Peak EMI Reducing Solution
Features
Generates an EMI optimized clock signal at the output. Integrated loop filter components. Operates with a 3.3 / 2.5V Supply. Operating current less than 4 |
|
ASM3P2779A | ON Semiconductor |
Peak EMI Reducing Solution ASM3P2779A Peak EMI Reducing Solution
Features
• Generates an EMI optimized clock signal at the output. • Integrated loop filter components. • Operates with a 3.3 / 2.5V Supply. • Operating current less than 4mA. • CMOS design. • Input frequency range: 13MHz to 30MHz |
|
ASM3P2779A | PulseCore Semiconductor |
Low Power Peak EMI Reducing Solution
November 2006 rev 3.2 Low Power Peak EMI Reducing Solution
Features
• • • • • • • • • Generates an EMI optimized clock signal at the output. Integrated loop filter components. Operates with a 3.3 / 2.5V Supply. Operating current less than 4m |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |