DataSheet26.com


K2779 даташит

Функция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk2779».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K2779 Sanken
Sanken
  MOSFET ( Transistor ) - 2SK2779

2SK2779 Absolute Maximum Ratings Symbol VDSS VGSS ID ID (pulse) *1 PD EAS *2 I AS Tch Tstg Ratings 100 ± 20 ± 20 ± 80 35 (Tc = 25ºC) 200 20 150 –55 to +150 (Ta = 25ºC) External dimensions 1 ...... FM20 Electrical Characteristics Symbol V(BR) DSS I GSS I DSS VTH Re (yfs) RDS (on) Ciss Coss Crss t d (on) ºC tr t d (off) tf VSD 1.0 12 20 60 75 1630 480 180 20 90 120 55 1.0 1.5 80 95 min 100 Ratings typ max ± 100 100 2.0 Unit V nA µA V S mΩ mΩ pF pF pF ns ns ns ns V I SD = 20A, VGS = 0V I D = 10A, VDD 50V, RL
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2779", "K2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N2779 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT NPN 250V 30A 3-Pin TO-63

pdf
2N2779 SSDI
SSDI

NPN Transistor

30 AMP NPN(continued) Sorted by IC, then VCEO Part Number mIaCx (A) mVCaExO (V) Ratings based on 25˚C case temperature unless otherwise specified mhFiEn mhaFEx @Ic (A) VmCEa(sxat) (V) @(A)IC mfTin (MHz) mPaTx *TC=100°C (W) Package 2N5931 30 160 20 100 Note 1 2 N
pdf
2SK2779 Sanken electric
Sanken electric

MOSFET ( Transistor )

2SK2779 Absolute Maximum Ratings Symbol VDSS VGSS ID ID (pulse) *1 PD EAS *2 I AS Tch Tstg Ratings 100 ± 20 ± 20 ± 80 35 (Tc = 25ºC) 200 20 150 –55 to +150 (Ta = 25ºC) External dimensions 1 ...... FM20 Electrical Characteristics Symbol V(BR) DSS I GSS I DSS VTH Re (yfs) R
pdf
ASM3P2779A Alliance Semiconductor Corporation
Alliance Semiconductor Corporation

Low Power Peak EMI Reducing Solution

September 2005 rev 3.0 ASM3P2779A Low Power Peak EMI Reducing Solution Features ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ ƒ Generates an EMI optimized clock signal at the output. Integrated loop filter components. Operates with a 3.3 / 2.5V Supply. Operating current less than 4
pdf
ASM3P2779A ON Semiconductor
ON Semiconductor

Peak EMI Reducing Solution

ASM3P2779A Peak EMI Reducing Solution Features • Generates an EMI optimized clock signal at the output. • Integrated loop filter components. • Operates with a 3.3 / 2.5V Supply. • Operating current less than 4mA. • CMOS design. • Input frequency range: 13MHz to 30MHz
pdf
ASM3P2779A PulseCore Semiconductor
PulseCore Semiconductor

Low Power Peak EMI Reducing Solution

November 2006 rev 3.2 Low Power Peak EMI Reducing Solution Features • • • • • • • • • Generates an EMI optimized clock signal at the output. Integrated loop filter components. Operates with a 3.3 / 2.5V Supply. Operating current less than 4m
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты