|
K2654-01 даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk2654-01». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K2654-01 | Fuji Electric |
MOSFET ( Transistor ) - 2SK2654-01 2SK2654-01
FAP-IIS Series
> Features
High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Repetitive Avalanche Rated
N-channel MOS-FET
900V
2Ω
8A
150W
> Outline Drawing
> Applications
Switching Regulators UPS DC-DC converters General Purpose Power Amplifier
> Maximum Ratings and Characteristics
- Absolute Maximum Ratings T(
C=25°C), unless otherwise specified
> Equivalent Circuit
Rating 900 8 32 ±30 8 241 150 150 -55 ~ +150 Unit V A A V A mJ W ° |
Это результат поиска, начинающийся с "2654", "K2654" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC2654 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC2654
DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA1129 ·Low collector saturation votage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifiers and mid-speed switching ap |
|
2SD2654 | ROHM Semiconductor |
General Purpose Transistor (50V/ 0.15A) 2SD2707 / 2SD2654 / 2SD2351 / 2SD2226K / 2SD2227S
Transistors
General Purpose Transistor (50V, 0.15A)
2SD2707 / 2SD2654 / 2SD2351 / 2SD2226K / 2SD2227S
zFeatures 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at I |
|
2SD2654 | ROHM Semiconductor |
(2SD2xxx) General Purpose Transistor (50V/ 0.15A) 2SD2707 / 2SD2654 / 2SD2351 / 2SD2226K / 2SD2227S
Transistors
General Purpose Transistor (50V, 0.15A)
2SD2707 / 2SD2654 / 2SD2351 / 2SD2226K / 2SD2227S
zFeatures 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at I |
|
2SK2654 | Fuji Electric |
N-channel MOS-FET 2SK2654-01
FAP-IIS Series
> Features
High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Repetitive Avalanche Rated
N-channel MOS-FET
900V
2Ω
8A
150W
> Outline Drawing
> Applications
Switching Regulators UPS |
|
2SK2654-01 | Fuji Electric |
N-channel MOS-FET 2SK2654-01
FAP-IIS Series
> Features
High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Repetitive Avalanche Rated
N-channel MOS-FET
900V
2Ω
8A
150W
> Outline Drawing
> Applications
Switching Regulators UPS |
|
AD22654 | Elite Semiconductor |
3-Vrms Cap-Less Line Driver ESMT/EMP
Features
z Operation Voltage: 3V to 5.5V z Cap-less Output - Eliminates Output Capacitors - Improves Low Frequency Response - Reduces POP/Clicks z Low Noise and THD - SNR > 102dB - Typical Vn < 12uVrms - THD+N < 0.02% z Maximum Output Voltage Swing into 2.5k Load - 2Vrms |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |