DataSheet26.com


K2654-01 даташит

Функция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk2654-01».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K2654-01 Fuji Electric
Fuji Electric
  MOSFET ( Transistor ) - 2SK2654-01

2SK2654-01 FAP-IIS Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Repetitive Avalanche Rated N-channel MOS-FET 900V 2Ω 8A 150W > Outline Drawing > Applications Switching Regulators UPS DC-DC converters General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics - Absolute Maximum Ratings T( C=25°C), unless otherwise specified > Equivalent Circuit Rating 900 8 32 ±30 8 241 150 150 -55 ~ +150 Unit V A A V A mJ W °
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2654", "K2654"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SC2654 SavantIC
SavantIC

SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2654 DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SA1129 ·Low collector saturation votage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifiers and mid-speed switching ap
pdf
2SD2654 ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

General Purpose Transistor (50V/ 0.15A)

2SD2707 / 2SD2654 / 2SD2351 / 2SD2226K / 2SD2227S Transistors General Purpose Transistor (50V, 0.15A) 2SD2707 / 2SD2654 / 2SD2351 / 2SD2226K / 2SD2227S zFeatures 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at I
pdf
2SD2654 ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

(2SD2xxx) General Purpose Transistor (50V/ 0.15A)

2SD2707 / 2SD2654 / 2SD2351 / 2SD2226K / 2SD2227S Transistors General Purpose Transistor (50V, 0.15A) 2SD2707 / 2SD2654 / 2SD2351 / 2SD2226K / 2SD2227S zFeatures 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at I
pdf
2SK2654 Fuji Electric
Fuji Electric

N-channel MOS-FET

2SK2654-01 FAP-IIS Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Repetitive Avalanche Rated N-channel MOS-FET 900V 2Ω 8A 150W > Outline Drawing > Applications Switching Regulators UPS
pdf
2SK2654-01 Fuji Electric
Fuji Electric

N-channel MOS-FET

2SK2654-01 FAP-IIS Series > Features High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Repetitive Avalanche Rated N-channel MOS-FET 900V 2Ω 8A 150W > Outline Drawing > Applications Switching Regulators UPS
pdf
AD22654 Elite Semiconductor
Elite Semiconductor

3-Vrms Cap-Less Line Driver

ESMT/EMP Features z Operation Voltage: 3V to 5.5V z Cap-less Output - Eliminates Output Capacitors - Improves Low Frequency Response - Reduces POP/Clicks z Low Noise and THD - SNR > 102dB - Typical Vn < 12uVrms - THD+N < 0.02% z Maximum Output Voltage Swing into 2.5k Load - 2Vrms
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты