|
K2627 даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk2627». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K2627 | Sanyo Semicon Device |
MOSFET ( Transistor ) - 2SK2627 Ordering number:ENN6228A
N-Channel Silicon MOSFET
2SK2627
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features
· Low ON-resistance. · Low Qg.
Package Dimensions
unit:mm 2128
[2SK2627]
8.2 7.8 6.2 3
0.4 0.2
0.6
4.2
1.2
8.4 10.0
1.0 2.54
1
2
1.0 2.54
0.3 0.6
5.08 10.0 6.0
6.2 5.2
7.8
0.7
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Drain Current (DC) Drain Current (Pulse) Allowable Power Dissipation Channel Temperature Storage Temperature Sym |
Это результат поиска, начинающийся с "2627", "K2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC2627 | Mitsubishi Electric Semiconductor |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR) |
|
2SD2627 | Sanyo Semicon Device |
Color TV Horizontal Deflection Output Applications Ordering number : ENN6478
2SD2627
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SD2627
Color TV Horizontal Deflection Output Applications
Features
• • • • •
Package Dimensions
unit : mm 2079C
[2SD2627]
10.0
3.5 7.2
High speed. High breakdown voltage(VCBO=1500V). Hi |
|
2SD2627LS | Sanyo Semicon Device |
Color TV Horizontal Deflection Output Applications Ordering number : ENN6478A
2SD2627LS
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SD2627LS
Color TV Horizontal Deflection Output Applications
Features
• • • • •
Package Dimensions
unit : mm 2079D
[2SD2627]
10.0 3.2
3.5 7.2
High speed. High br |
|
2SK2627 | Sanyo Semicon Device |
Ultrahigh-Speed Switching Applications Ordering number:ENN6228A
N-Channel Silicon MOSFET
2SK2627
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features
· Low ON-resistance. · Low Qg.
Package Dimensions
unit:mm 2128
[2SK2627]
8.2 7.8 6.2 3
0.4 0.2
0.6
4.2
1.2
8.4 10.0
1.0 2.54
1
2
1.0 2.54
0.3 0.6
5.08 10.0 6. |
|
B82627 | EPCOS |
(B82615 - B82627) Chokes Chokes for Power Lines Ring Core Chokes with Iron Powder Core
Harmonic chokes Rated voltage 250 Vac / 350 Vdc Rated current 1 A to 10 A Rated inductance 0,18 to 40 mH Construction
s s s s s
B82615 … B82627
Ring core choke with iron powder core Two sizes (B826∗5 and B826∗7 |
|
D2627 | Sanyo Semicon Device |
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
Ordering number : ENN6478
2SD2627
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SD2627
Color TV Horizontal Deflection Output Applications
Features
• • • • •
Package Dimensions
unit : mm 2079C
[2SD2627]
10.0
3.5 7.2
High speed. High breakdown vo |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |