|
K2610 даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk2610». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| K2610 |  Toshiba Semiconductor |
MOSFET ( Transistor ) - 2SK2610 www.DataSheet.co.kr
2SK2610
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSIII)
2SK2610
Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications
z Low drain−source ON resistance z High forward transfer admittance z Low leakage current z Enhancement mode : RDS (ON) = 2.3 Ω (typ.) : |Yfs|= 4.4 S (typ.) Unit: mm
: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V) : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics Drain−source voltage Drain−gate voltage |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "2610", "K2" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 1N2610 |  New Jersey Semiconductor |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
 |
| 1N2610A | New Jersey Semiconductor |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
|
| 26100 |  C&DTechnologies |
Bobbin Wound Surface Mount Inductors 2600 SERIES
Bobbin Wound Surface Mount Inductors
FEATURES s Bobbin Format s Up to 4.6A IDC s 3.3µH to 680µH s Optional Integral EMI Shield s Low DC Resistance s Surface Mounting s Compact Size s Tape and Reel Packaging
DESCRIPTION The 2600 series is a range of bobbin wound sur |
|
| 26101 | C&DTechnologies |
Bobbin Wound Surface Mount Inductors 2600 SERIES
Bobbin Wound Surface Mount Inductors
FEATURES s Bobbin Format s Up to 4.6A IDC s 3.3µH to 680µH s Optional Integral EMI Shield s Low DC Resistance s Surface Mounting s Compact Size s Tape and Reel Packaging
DESCRIPTION The 2600 series is a range of bobbin wound sur |
|
| 2SC2610 |  Hitachi Semiconductor |
Silicon NPN Triple Diffused 2SC2610
Silicon NPN Triple Diffused
Application
• High voltage amplifier • TV Video output
Outline
TO-92 (1)
1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1
2SC2610
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base vol |
|
| 2SC2610 |  Renesas |
Silicon NPN Triple Diffused 2SC2610
Silicon NPN Triple Diffused
REJ03G0700-0200 (Previous ADE-208-1068) Rev.2.00 Aug.10.2005
Application
• High voltage amplifier • TV Video output
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003DC-A (Package name: TO-92 Mod)
1. Emitter 2. Collector 3. Base
3 2 1
Absolute Maxi |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |