|
K2221 даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk2221». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K2221 | Renesas |
Silicon N Channel MOS FET 2SK2220, 2SK2221
Silicon N Channel MOS FET
Application
Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SJ351, 2SJ352
Features
• High power gain • Excellent frequency response • High speed switching • Wide area of safe operation • Enhancement-mode • Good complementary characteristics • Equipped with gate protection diodes
Outline
REJ03G1004-0200 (Previous: ADE-208-1352)
Rev.2.00 Sep 07, 2005
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A (Package name: TO-3P)
D
1. Gate G 2. Source
(Flange) 3. Drain
1 2 3
S
|
|
K2221 | Hitachi Semiconductor |
MOSFET ( Transistor ) - 2SK2221 2SK2220, 2SK2221
Silicon N-Channel MOS FET
Application
Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SJ351, 2SJ352
Features
• High power gain • Excellent frequency response • High speed switching • Wide area of safe operation • Enhancement-mode • Good complementary characteristics • Equipped with gate protection diodes
Outline
TO-3P
D G1
2 3 1. Gate 2. Source (Flange)
S 3. Drain
2SK2220, 2SK2221
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
2SK2220
2SK2221
Gate to sourc |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |