|
K1S161611A-I даташитФункция этой детали – «1mx16 Bit Uni-transistor Random Access Memory». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K1S161611A-I | Samsung |
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory Preliminary
K1S161611A
Document Title
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory
UtRAM
Revision History
Revision No. History
0.0 0.1 Initial Draft Revised - Added Lead Free 48-FBGA-6.00x7.00 Product
Draft Date
October 6, 2003
Remark
Preliminary
November 25, 2003 Preliminary
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any question |
Это результат поиска, начинающийся с "1S161611A", "K1S161611" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
DS_K1S161611A | Samsung semiconductor |
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory Preliminary
K1S161611A
Document Title
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory
UtRAM
Revision History
Revision No. History
0.0 0.1 Initial Draft Revised - Added Lead Free 48-FBGA-6.00x7.00 Product
Draft Date
October 6, 2003
Remark
Preliminary
November 25, 2003 Prelimin |
|
K1S161611A | Samsung |
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory Preliminary
K1S161611A
Document Title
1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory
UtRAM
Revision History
Revision No. History
0.0 0.1 Initial Draft Revised - Added Lead Free 48-FBGA-6.00x7.00 Product
Draft Date
October 6, 2003
Remark
Preliminary
November 25, 2003 Prelimin |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |