|
K1588 даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk1588». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K1588 | NEC |
MOSFET ( Transistor ) - 2SK1588 DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK1588
N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING
DESCRIPTION
The 2SK1588 is an N-channel vertical type MOSFET which can be driven by 2.5 V power supply. As the MOSFET is driven by low voltage and does not require consideration of driving current, it is suitable for appliances including VCR cameras and headphone stereos
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
4.5 ±0.1 1.6 ±0.2 1.5 ±0.1
2.5 ±0.1
0.42 ±0.06
which need power saving.
FEATURES
• Directly driven by ICs having a 3 V power supply. |
Это результат поиска, начинающийся с "1588", "K1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N1588A | Semitronics |
Silicon Voltage Reference Diodes |
|
1S1588 | Toshiba Semiconductor |
Silicon Epitaxial Planar Type |
|
2SA1588 | Toshiba Semiconductor |
TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY LOW POWER AMPLIFIER/ DRIVER STAGE AMPLIFIER/ SWITCHING APPLICATIONS |
|
2SA1588 | Kexin |
Transistor SMD Type
Silicon PNP Epitaxial 2SA1588
Transistors IC
Features
Excellent hFE linearity.
1 Emitter 2 Base 3 Collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power |
|
2SA1588 | TY Semiconductor |
Transistor Product specification
2SA1588
Features
Excellent hFE linearity.
1 Emitter 2 Base 3 Collector
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction te |
|
2SB1588 | Sanken electric |
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio/ Series Regulator and General Purpose) (7 0 Ω ) E
Darlington
sAbsolute maximum ratings
Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SB1588 –160 –150 –5 –10 –1 80(Tc=25°C) 150 –55 to +150 (Ta=25°C) Unit V V V A A W °C °C
2SB1588
sElectrical Characteristics
Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) VBE(sat) |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |