|
K1166 даташитФункция этой детали – «SilICon N Channel Mos Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K1166 | Renesas Technology |
Silicon N Channel MOS FET 2SK1165, 2SK1166
Silicon N Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A (Package name: TO-3P)
1 2 3
REJ03G0914-0200 (Previous: ADE-208-1252)
Rev.2.00 Sep 07, 2005
D
G
1. Gate 2. Drain
(Flange)
3. Source
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6
2SK1165, 2SK1166
Absolute Maximum Ratings
Item
Drain to sour |
Это результат поиска, начинающийся с "1166", "K1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N1166 | New Jersey Semiconductor |
SILICON PNP TRANSISTOR |
|
2SA1166 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SA1166
DESCRIPTION ·With MT-200 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·Audio and general purpose applications
PINNING (see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mo |
|
2SA1166 | Inchange Semiconductor |
POWER TRANSISTOR Datasheet.esaSheet4U.net
Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SA1166
DESCRIPTION ·With MT-200 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·Audio and general purpose applications
PINNING (see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector;connected to m |
|
2SA1166 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin SC-59 T/R |
|
2SB1166 | Sanyo Semicon Device |
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Ordering number:ENN2021A
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SB1166/2SD1723
50V/8A Switching Applications
Applications
· Relay drivers, high-speed inverters, converters.
Features
· Low collector-to-emitter saturation voltage. · High fT. · Excellent linearity of hF |
|
2SC1166 | ETC |
SILICON NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |