DataSheet26.com


K1165 даташит

Функция этой детали – «SilICon N Channel Mos Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
K1165 Renesas Technology
Renesas Technology
  Silicon N Channel MOS FET

2SK1165, 2SK1166 Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A (Package name: TO-3P) 1 2 3 REJ03G0914-0200 (Previous: ADE-208-1252) Rev.2.00 Sep 07, 2005 D G 1. Gate 2. Drain (Flange) 3. Source S Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6 2SK1165, 2SK1166 Absolute Maximum Ratings Item Drain to sour
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1165", "K1"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1165892 Multicomp
Multicomp

High power NPN silicon power transistors

1165892 High power NPN silicon power transistors. These devices are designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applications. Features: • Forward biased second breakdown current capability IS/b = 2.5 A dc at VCE = 60V dc. • Pb-free package
pdf
1165899 Multicomp
Multicomp

High power NPN silicon transistors

1165899 TO-3 High power NPN silicon transistors. Features: • High voltage capability. • High current capability. • Fast switching speed. Applications: Switch mode power supplies. Flyback and forward single transistor low power converters. Description: The BUX48/A silicon m
pdf
1165939 Multicomp
Multicomp

Transistors

1165939 Features: • 70W at 25°C case temperature. • 8A continuous collector current. • Minimum hFE of 1000 at 4V, 4A. TO-220 Package (Top View) Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. Absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise no
pdf
2SB1165 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

Ordering number:2046A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1165/2SD1722 50V/5A Switching Applications Applications · Relay drivers, high-speed inverters, converters. Features · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High fT. · Excellent linearity of hFE.
pdf
2SB1165 SavantIC
SavantIC

SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1165 DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SD1722 ·Low collector saturation voltage ·Fast switching time APPLICATIONS ·For use in relay drivers,high-speed in
pdf
2SC1165 Toshiba
Toshiba

UHF Band Power Amplifier Applications

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты