|
K1119 даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk1119». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K1119 | Toshiba Semiconductor |
MOSFET ( Transistor ) - 2SK1119 2SK1119
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSII.5)
2SK1119
DC−DC Converter and Motor Drive Applications
z Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 3.0 Ω (typ.)
z High forward transfer admittance : |Yfs| = 2.0 S (typ.)
z Low leakage current
: IDSS = 300 µA (max) (VDS = 800 V)
z Enhancement mode
: Vth = 1.5~3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Unit: mm
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain−source voltage
Drain−gate voltage (RGS = |
Это результат поиска, начинающийся с "1119", "K1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2DB1119S | Diodes |
PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR 2DB1119S
PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
NEW PRODUCT
Features
• Epitaxial Planar Die Construction • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • "Green" De |
|
2N1119 | ETC |
Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case
TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) VCEO (V) *VCER VEBO (V) ICBO @ (µA) *ICEO **ICES ***ICEV ****ICER MIN 6.0 6.0 5.0 5.0 7.0 7.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 5.0 6.0 5.0 5.0 5.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 5.0 5.0 5.0 7.0 6.0 4.5 6.0 7.0 7.0 6.0 6.0 7.0 |
|
2SB1119 | Sanyo Semicon Device |
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Ordering number:1785A
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SB1119/2SD1619
LF Amplifier, Electronic Governor Applications
Features
· Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid IC’s.
Package Dimensions
unit:mm 2038
[2SB1119/2SD1619]
( |
|
2SB1119 | TRANSYS |
Plastic-Encapsulated Transistors Transys
Electronics
L I M I T E D
SOT-89 Plastic-Encapsulated Transistors
2SB1119
FEATURES Power dissipation PCM: 500 mW (Tamb=25℃) 2. COLLECTOR 3. EMITTER 1 2 3 TRANSISTOR (PNP)
SOT-89
1. BASE
Collector current -1 A ICM: Collector current (Pulse) ICP: -2 A Collector-base vo |
|
2SB1119 | Kexin |
Transistor SMD Type
Transistors
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1119
Features
Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid IC’ s.
Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Co |
|
2SB1119 | SeCoS |
PNP Silicon Medium Power Transistor 2SB1119/2SD1619
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
D D1 A
PNP Silicon Medium Power Transistor
SOT-89
E1
FEATURES
b1
Power dissipation P CM : 500mW˄Tamb=25ć˅ 1.BASE Collector current 2.COLLECTOR A ICM : -1 3.EMITTER Collector-base voltage V VB(BR) |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |