|
K10A60D даташитФункция этой детали – «600v, 10a, SilICon N Channel Mosfet, Tk10a60d». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K10A60D | Toshiba |
600V, 10A, Silicon N Channel MOSFET, TK10A60D
TK10A60D
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)
TK10A60D
Switching Regulator Applications
Unit: mm
• • • •
Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.62 Ω (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 μA (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics Drain-source voltage Drain-gate voltage (RGS = 20 kΩ) Gate-source voltage |
Это результат поиска, начинающийся с "10A60D", "K10A" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
MHPM6B10A60D | Motorola Semiconductors |
Hybrid Power Module MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by MHPM6B10A60D/D
Preliminary Data Sheet
Integrated Power Stage for 230 VAC Motor Drives
Hybrid Power Module
These modules integrate a 3–phase inverter in a single convenient package. They are designed for 1.0 and 2. |
|
TK10A60D | Toshiba |
Field Effect Transistor TK10A60D
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)
TK10A60D
Switching Regulator Applications
Unit: mm
• • • •
Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.62 Ω (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typ.) Low leakage curr |
|
TK10A60D | Toshiba Semiconductor |
Switching Regulator Applications
TK10A60D
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)
TK10A60D
Switching Regulator Applications
Unit: mm
• • • •
Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.62 Ω (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S ( |
|
1410604 | C&D Technologies |
Bobbin Type Inductors |
|
1410604 | C&D Technologies |
Bobbin Type Inductors |
|
1410604C | Murata |
Bobbin Type Inductors www.murata-ps.com
1400 Series
Bobbin Type Inductors
FEATURES n RoHS compliant n Radial format n -40°C to 85°C operating temperature n Up to 13A IDC n 10μH to 22mH n Low DC resistance n Fully tinned leads n PCB mounting hole n Low temperature dependence n Backward compatible |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |