|
K1069 даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor ) - 2sk1069». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
K1069 | Sanyo |
MOSFET ( Transistor ) - 2SK1069 Ordering number:EN2749
N-Channel Junction Silicon FET
2SK1069
Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
Applications
· Low-frequency general-purpose amplifiers. · Ideal for use in variable resistors, analog switches,
low-frequency amplifiers, and constant-current circuits.
Features
· Adoption of FBET process. · Ultrasmall-sized package permitting 2SK1069-
applied sets to be made smaller and slimmer.
Package Dimensions
unit:mm 2058
[2SK1069]
0.425
0.3 3
0.15 0 to 0.1
0.2
2.1 1.250
12 0.65 0.65
2.0 |
Это результат поиска, начинающийся с "1069", "K1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
10696 | Conexant Systems |
Parallel Processing System |
|
1069K | Philips |
Tube Datasheet.esaSheet.in
Datasheet.esaSheet.in
page 1 2 3
1069K sheet 1 2 FP
date 1954.08.08 1954.08.08 1999.08.21
Datasheet.esaSheet.in
|
|
1N1069 | Microsemi Corporation |
SILICON POWER RECTIFIER ( DataSheet : )
|
|
1N1069 | Solid State |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
2SA1069 | SavantIC |
Silicon POwer Transistors SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SA1069 2SA1069A
DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SC2516/2516A ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Switching regulators ·DC-DC converters ·Hig |
|
2SA1069 | Inchange Semiconductor |
POWER TRANSISTOR Datasheet.esaSheet4U.net
Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SA1069 2SA1069A
DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SC2516/2516A ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Switching regulators ·DC-DC converters ·Hi |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |