|
J132 даташитФункция этой детали – «Mos Field Effect Power Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
J132 | NEC |
MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS
2SJ132, 2SJ132-Z
P-CHANNEL POWER MOS FET FOR SWITCHING
FEATURES • Gate drive available at logic level (VGS = −4 V) • High current control available in small
dimension due to low RDS(on) (≅ 0.25 Ω) • 2SJ132-Z is a lead process product and is deal
for mounting a hybrid IC.
QUALITY GRADES • Standard
Please refer to “Quality Grades on NEC Semiconductor Devices” (Document No. C11531E) published by NEC Corporation to know the specification of quality grade on th |
|
J132-Z | NEC |
MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |