|
J13003 даташитФункция этой детали – «Mini Size Discrete SemIConductor Elements». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
J13003 | Sinyork |
Mini Size Discrete Semiconductor Elements Mini size of Discrete semiconductor elements
Diode Rectifier
Schottky SOD-723 / SOD-523 / SOD-323 TO-252 / TO263 SOT-23-6 / TSSOP-8 / SOP-8 mini-MELF / MELF SMA / SMB / SMC Switching SOT-523 / SOT-323 / SOT-23 Bridge (Single phase / Three phase) RF ( low capacitance ) & Varactor SOT-323 SOT-23 TO-252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P TSSOP-8 / SOP-8 Switching Regulator / Charger pump DC-DC converter / PWM IC Step-up/down (Boost / Buck) LDO Regulator Ultra LDO Regulator SOT-323 / SOT-363 (Dual N , Dual P , P+N) SOT-23 / SOT-89 T |
Это результат поиска, начинающийся с "13003", "J13" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
13003 | Elite Enterprises |
NPN Epitaxial Silicon Transistor 13003 NPN Epitaxial Silicon Transistor
TO-220
HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS
Collector-Emitter Voltage: VCEO=400V Collector Dissipation: PC(max)=1500mW
Absolute Maximum Ratings (TA=25oC)
Characteristic Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage C |
|
13003 | HSiN |
HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED SWITCH 13003
STANDARD
· ·
65
HSiN
13003
PEFORMANCE CURVES
1
Ic(A)
SOA (DC)
120 100
%
Pc
Tj
0.1
80
IS/B
60
Ptot
0.01
40 20
0.001 1
hFE
10
100
Vce(V)
0
1000
0
50
100
150
Tj(
) 200
hFE - Ic
100
100
hFE
hFE - Ic
Tj=125 Tj=25
Tj=125
Tj=25
10
Tj= − 40
|
|
13003ADA | Unisonic Technologies |
NPN SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
13003ADA
Preliminary
NPN SILICON TRANSISTOR
NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION
DESCRIPTION
The UTC 13003ADA is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTC’s advanced technology to provide customers h |
|
13003ADG | Unisonic Technologies |
NPN SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
13003ADG
Preliminary
NPN SILICON TRANSISTOR
NPN SILICON POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION
These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 |
|
13003BDG | Unisonic Technologies |
NPN SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
13003BDG
Preliminary
NPN SILICON TRANSISTOR
NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION
DESCRIPTION
The UTC 13003BDG is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTC’s advanced technology to provide customers hi |
|
13003BR | ETC |
MJE13003BR
MJE13003
FEATURES Power dissipation PCM : 1.25
NPN SILICON TRANSISTOR
TO 126
W
Tamb=25
1.BASE 2.COLLECTOR 3.EMITTER
Collector current 1.5 A ICM : Collector-base voltage V(BR)CBO : 700 V
123
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter Collector-base breakdown |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |