|
IXTU4N60P даташитФункция этой детали – «Polarhv Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
IXTU4N60P | IXYS |
PolarHV Power MOSFET PolarHVTM Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA4N60P IXTP4N60P IXTU4N60P IXTY4N60P
V= DSS
ID25 = ≤RDS(on)
600 4
2.0
V A Ω
TO-263 (IXTA)
Symbol VDSS VDGR
VGSS VGSM
I
D25
IDM
IAR E
AR
EAS
dv/dt
PD
TJ TJM Tstg
T L
TSOLD Md Weight
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ
Continuous Transient
T C
= 25°C
TC = 25°C, pulse width limited by TJM
TC = 25°C
T C
=
25°C
TC = 25°C
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C, RG = 30 Ω
TC = 2 |
Это результат поиска, начинающийся с "4N60P", "IXTU4N" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
4N60P | WEITRON |
Surface Mount N-Channel Power MOSFET 4N60
Surface Mount N-Channel Power MOSFET
P b Lead(Pb)-Free
Description:
The WEITRON 4N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteris |
|
AM4N60P | Analog Power |
N-Channel MOSFET Analog Power
N-Channel 600-V (D-S) MOSFET
Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed
Typical Applications: • Power Supplies • Motor Drives • Consumer Electronics
AM4N60P
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
rDS(on) (Ω)
600 2 |
|
H4N60P | HAOHAI |
N-Channel MOSFET 4A, 600V, N沟道 场效应晶体管 产品参数规格书
工业型号
FQP4N60C FQPF4N60C
公司型号
H4N60P H4N60F
通俗命名 4N60
H HAOHAI
封装标识
P: TO-220AB F: TO-220FP
包装方式
条管装 盒装箱装
每管数量 50Pcs
4N60 Series
N-Channel MOSFET
每� |
|
IXFA14N60P | IXYS Corporation |
Polar MOSFETs ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
TM PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFA 14N60P IXFP 14N60P IXFH 14N60P
VDSS ID25
RDS(on)
= 600 V = 14 A ≤ 550 mΩ
N-Channel Enhancement Mode
TO-3P (IXTQ) Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL |
|
IXFC14N60P | IXYS Corporation |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET
(Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFC14N60P
VDSS ID25
RDS(on)
trr
= = ≤ ≤
600V 8A 630mΩ 200ns
ISOPLUS 220TM Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IA EAS dV/dt PD TJ TJM T |
|
IXFH14N60P | IXYS Corporation |
Polar MOSFETs ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
TM PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFA 14N60P IXFP 14N60P IXFH 14N60P
VDSS ID25
RDS(on)
= 600 V = 14 A ≤ 550 mΩ
N-Channel Enhancement Mode
TO-3P (IXTQ) Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |