DataSheet26.com


IXTU4N60P даташит

Функция этой детали – «Polarhv Power Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
IXTU4N60P IXYS
IXYS
  PolarHV Power MOSFET

PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated IXTA4N60P IXTP4N60P IXTU4N60P IXTY4N60P V= DSS ID25 = ≤RDS(on) 600 4 2.0 V A Ω TO-263 (IXTA) Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM I D25 IDM IAR E AR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg T L TSOLD Md Weight Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ Continuous Transient T C = 25°C TC = 25°C, pulse width limited by TJM TC = 25°C T C = 25°C TC = 25°C IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C, RG = 30 Ω TC = 2
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "4N60P", "IXTU4N"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
4N60P WEITRON
WEITRON

Surface Mount N-Channel Power MOSFET

4N60 Surface Mount N-Channel Power MOSFET P b Lead(Pb)-Free Description: The WEITRON 4N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteris
pdf
AM4N60P Analog Power
Analog Power

N-Channel MOSFET

Analog Power N-Channel 600-V (D-S) MOSFET Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed Typical Applications: • Power Supplies • Motor Drives • Consumer Electronics AM4N60P PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (Ω) 600 2
pdf
H4N60P HAOHAI
HAOHAI

N-Channel MOSFET

4A, 600V, N沟道 场效应晶体管 产品参数规格书 工业型号 FQP4N60C FQPF4N60C 公司型号 H4N60P H4N60F 通俗命名 4N60 H HAOHAI 封装标识 P: TO-220AB F: TO-220FP 包装方式 条管装 盒装箱装 每管数量 50Pcs 4N60 Series N-Channel MOSFET 每�
pdf
IXFA14N60P IXYS Corporation
IXYS Corporation

Polar MOSFETs

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION TM PolarHV HiPerFET Power MOSFET IXFA 14N60P IXFP 14N60P IXFH 14N60P VDSS ID25 RDS(on) = 600 V = 14 A ≤ 550 mΩ N-Channel Enhancement Mode TO-3P (IXTQ) Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL
pdf
IXFC14N60P IXYS Corporation
IXYS Corporation

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode IXFC14N60P VDSS ID25 RDS(on) trr = = ≤ ≤ 600V 8A 630mΩ 200ns ISOPLUS 220TM Symbol VDSS VDGR VGSS VGSM ID25 IDM IA EAS dV/dt PD TJ TJM T
pdf
IXFH14N60P IXYS Corporation
IXYS Corporation

Polar MOSFETs

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION TM PolarHV HiPerFET Power MOSFET IXFA 14N60P IXFP 14N60P IXFH 14N60P VDSS ID25 RDS(on) = 600 V = 14 A ≤ 550 mΩ N-Channel Enhancement Mode TO-3P (IXTQ) Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR EAS dv/dt PD TJ TJM Tstg TL
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты