DataSheet26.com


IXFN55N50 даташит

Функция этой детали – «(ixfx5xn50) Hiperfet Power Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
IXFN55N50 IXYS Corporation
IXYS Corporation
  (IXFx5xN50) HiPerFET Power MOSFET

HiPerFETTM Power MOSFET Single Die MOSFET Preliminary data sheet Symbol Test Conditions VDSS ID25 55A 50A 55A 50A RDS(on) 80mΩ 100mΩ 80mΩ 100mΩ trr 250ns 250ns 250ns 250ns IXFN IXFN IXFK IXFK 55N50 50N50 55N50 50N50 500V 500V 500V 500V IXFK 55N50 500 500 ± 20 ± 30 55 220 55 60 5 560 Maximum Ratings IXFK IXFN 50N50 55N50 500 500 ± 20 ± 30 50 200 50 55 220 55 60 5 600 -55 ... +150 150 -55 ... +150 TO-264 AA (IXFK) IXFN 50N50 V V V V 50 A 200 A 50 A mJ V/ns D S G D S VDSS VDGR VG
pdf
IXFN55N50F IXYS Corporation
IXYS Corporation
  Power MOSFET ( Transistor )

HiPerRFTM IXFN 55N50F Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr Symbol Test Conditions D G SS Maximum Ratings V DSS V DGR VGS VGSM I D25 IDM IAR EAR E AS dv/dt PD TJ TJM Tstg T J = 25°C to 150°C T J = 25°C to 150°C; R GS = 1 MΩ Continuous Transient T C = 25°C TC = 25°C, pulse width limited by TJM TC = 25°C TC = 25°C T C = 25°C IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C, RG =
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты