|
IXFK50N50 даташитФункция этой детали – «(ixfx5xn50) Hiperfet Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| IXFK50N50 |  IXYS Corporation |
(IXFx5xN50) HiPerFET Power MOSFET
HiPerFETTM Power MOSFET
Single Die MOSFET
Preliminary data sheet Symbol Test Conditions
VDSS
ID25 55A 50A 55A 50A
RDS(on) 80mΩ 100mΩ 80mΩ 100mΩ
trr 250ns 250ns 250ns 250ns
IXFN IXFN IXFK IXFK
55N50 50N50 55N50 50N50
500V 500V 500V 500V
IXFK 55N50 500 500 ± 20 ± 30 55 220 55 60 5 560
Maximum Ratings IXFK IXFN 50N50 55N50 500 500 ± 20 ± 30 50 200 50 55 220 55 60 5 600 -55 ... +150 150 -55 ... +150
TO-264 AA (IXFK) IXFN 50N50 V V V V 50 A 200 A 50 A mJ V/ns
D S G D S
VDSS VDGR VG |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "50N50", "IXFK50" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| C150N50Z4 |  Anaren Microwave |
Surface Mount Termination Model C150N50Z4
Surface Mount Termination 150 Watts, 50Ω
Description
The C150N50Z4 is high performance Aluminum Nitride (AlN) surface mount termination intended as a cost competitive alternative to Beryllium Oxide (BeO). The termination is well suited to all cellular frequency b |
 |
| FDA50N50 |  Fairchild Semiconductor |
500V N-Channel MOSFET FDH50N50 / FDA50N50 500V N-Channel MOSFET
UniFET
FDH50N50 / FDA50N50
500V N-Channel MOSFET Features
• 48A, 500V, RDS(on) = 0.105Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 105 nC) • Low Crss ( typical 45 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt c |
|
| FDH50N50 | Fairchild Semiconductor |
500V N-Channel MOSFET FDH50N50 / FDA50N50 500V N-Channel MOSFET
UniFET
FDH50N50 / FDA50N50
500V N-Channel MOSFET Features
• 48A, 500V, RDS(on) = 0.105Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 105 nC) • Low Crss ( typical 45 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt c |
|
| HVP050N5000 |  VMI |
(HVPxxxxx000) High Voltage Power Supply High Voltage Power Supply - 250W Series
HVP Series
The HVP series provide 250 watts of output power up to 125kV. The outputs are fully adjustable from zero to 100% of the maximum rating. Built-in EMI filtering, safety interlocks, overvoltage/over-current arc p |
|
| IXFE50N50 | IXYS Corporation |
(IXFE50N50 / IXFE55N50) HiPerFETTM Power MOSFET
HiPerFETTM Power MOSFET
Single Die MOSFET
Preliminary data sheet
VDSS IXFE 55N50 IXFE 50N50
ID25
RDS(on) 80 mΩ 100 mΩ
500 V 52 A 500 V 47 A trr ≤ 250 ns
ISOPLUS 227TM (IXFE) Symbol Test Conditions VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR dv/dt PD TJ TJM |
|
| IXFN50N50 | IXYS Corporation |
(IXFx5xN50) HiPerFET Power MOSFET
HiPerFETTM Power MOSFET
Single Die MOSFET
Preliminary data sheet Symbol Test Conditions
VDSS
ID25 55A 50A 55A 50A
RDS(on) 80mΩ 100mΩ 80mΩ 100mΩ
trr 250ns 250ns 250ns 250ns
IXFN IXFN IXFK IXFK
55N50 50N50 55N50 50N50
500V 500V 500V 500V
IXFK 55 |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |