|
IRLR3715ZPBF даташитФункция этой детали – «Hexfet Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
IRLR3715ZPBF | International Rectifier |
HEXFET Power MOSFET
Applications l High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use l Lead-Free Benefits
l l
HEXFET® Power MOSFET
IRLR3715ZPbF IRLU3715ZPbF
11m:
PD - 95088A
VDSS RDS(on) max
20V
Qg
7.2nC
Ultra-Low Gate Impedance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
D-Pak IRLR3715Z
I-Pak IRLU3715Z
Absolute Maximum Ratings
Parameter
VDS VGS ID @ TC = 25°C ID @ TC = 100°C |
Это результат поиска, начинающийся с "3715ZPBF", "IRLR3715Z" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
IRL3715ZPBF | International Rectifier |
Power MOSFET ( Transistor ) Applications l High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power l Lead-Free
PD - 95581
IRL3715ZPbF IRL3715ZSPbF IRL3715ZLPbF
HEXFET® Power MOSFET
VDSS RDS(on) max Qg
:20V 11m
7.0nC
Benefits
l Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully |
|
IRLU3715ZPBF | International Rectifier |
HEXFET Power MOSFET
Applications l High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use l Lead-Free Benefits
l l
HEXFET® Power MOSFET
IRLR3715ZPbF IRLU3 |
|
1N3715 | GPD Optoelectronic Devices |
(1N3712 - 1N3721) TUNNEL DIODE ( DataSheet : )
|
|
1N3715 | New Jersey Semiconductor |
Diode 100V 275A 2-Pin DO-9 |
|
1N3715 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
2N3715 | Motorola Inc |
10 AMPERE POWER TRANSISTORS SILICON NPN 60.80 VOLTS 150 WATTS MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document by 2N3715/D
Silicon NPN Power Transistors
. . . designed for medium–speed switching and amplifier applications. These devices feature: • • • • • Total Switching Time at 3 A typically 1.15 µs Gain Ranges Spe |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |