|
IRLR024N даташитФункция этой детали – «(irlu/r024n) Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
IRLR024N | International Rectifier |
(IRLU/R024N) Power MOSFET PD- 91363E
IRLR024N IRLU024N
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l
Logic-Level Gate Drive Surface Mount (IRLR024N) Straight Lead (IRLU024N) Advanced Process Technology Fast Switching Fully Avalanche Rated
D
VDSS = 55V
G S
RDS(on) = 0.065Ω ID = 17A
Description
Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible onresistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXF |
|
IRLR024NPBF | International Rectifier |
HEXFET Power MOSFET PD- 95081A
IRLR024NPbF IRLU024NPbF
HEXFET® Power MOSFET
Logic-Level Gate Drive Surface Mount (IRLR024N) l Straight Lead (IRLU024N) l Advanced Process Technology l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free
l l
D
VDSS = 55V RDS(on) = 0.065Ω
G S
ID = 17A
Description
Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible onresistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |