|
IRGP30B120KD даташитФункция этой детали – «PDF». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
IRGP30B120KD-E | IRF |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR PD- 93818
IRGP30B120KD-E
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
• Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology • Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25°C) • 10 µs Short Circuit Capability • Square RBSOA • Ultrasoft Diode Recovery Characteristics • Positive VCE(on) Temperature Coefficient • Extended Lead TO-247AD Package
C
Motor Control Co-Pack IGBT
VCES = 1200V
G E
VCE(on) typ. = 2.28V
VGE = 15V, IC = 25A, 25°C
N-channel
Benefits
• Benchmark Efficiency fo |
|
IRGP30B120KD-EP | International Rectifier |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR PD- 95238
IRGP30B120KD-EP
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
• Low VCE(on) Non Punch Through (NPT) Technology • Low Diode VF (1.76V Typical @ 25A & 25°C) • 10 µs Short Circuit Capability • Square RBSOA • Ultrasoft Diode Recovery Characteristics • Positive VCE(on) Temperature Coefficient • Extended Lead TO-247AD Package • Lead-Free
C
Motor Control Co-Pack IGBT
VCES = 1200V
G E
VCE(on) typ. = 2.28V
VGE = 15V, IC = 25A, 25°C
N-channel n-channel
Benefits
� |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |