|
IRG4PC50S-P даташитФункция этой детали – «Insulated Gate Bipolar Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
IRG4PC50S | IRF |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR PD - 91581A
IRG4PC50S
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
• Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies ( < 1kHz) • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AC package
C
Standard Speed IGBT
VCES = 600V
G E
VCE(on) typ. = 1.28V
@VGE = 15V, IC = 41A
n-channel
Benefits
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available • IGBT's optimized for specified application conditi |
|
IRG4PC50SDPBF | International Rectifier |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR PD - 97316
IRG4PC50SDPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (<1kHz) IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations Industry standard TO-247AC package
Standard Speed CoPack IGBT
Features
C
VCES = 600V
G E
VCE(on) typ. = 1.28V
@VGE = 15V, IC = 41A
Benefits
n-channel
Generation -4 IGBT's offer highest efficiencies availa |
|
IRG4PC50SPBF | International Rectifier |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR • Lead-Free
PD - 95131
IRG4PC50SPbF
www.irf.com
1 3/18/04
IRG4PC50SPbF
2 www.irf.com
IRG4PC50SPbF
www.irf.com
3
IRG4PC50SPbF
4 www.irf.com
IRG4PC50SPbF
www.irf.com
5
IRG4PC50SPbF
6 www.irf.com
IRG4PC50SPbF
www.irf.com
7
IRG4PC50SPbF
TO-247AC Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
15.90 (.626) 15.30 (.602)
-B-
20.30 (.800) 19.70 (.775)
123
14.80 (.583) 14.20 (.559)
3.65 (.143) 3.55 (.140) 0.25 (.010) M D B M -A-
5.50 (.217)
2X
5.50 (.217) 4.50 (.177)
-C4.30 (.170) 3.70 (.1 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |