DataSheet26.com


IRG4PC50S-P даташит

Функция этой детали – «Insulated Gate Bipolar Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
IRG4PC50S IRF
IRF
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

PD - 91581A IRG4PC50S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies ( < 1kHz) • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AC package C Standard Speed IGBT VCES = 600V G E VCE(on) typ. = 1.28V @VGE = 15V, IC = 41A n-channel Benefits • Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available • IGBT's optimized for specified application conditi
pdf
IRG4PC50SDPBF International Rectifier
International Rectifier
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

PD - 97316 IRG4PC50SDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (<1kHz) • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations • Industry standard TO-247AC package Standard Speed CoPack IGBT Features C VCES = 600V G E VCE(on) typ. = 1.28V @VGE = 15V, IC = 41A Benefits n-channel • Generation -4 IGBT's offer highest efficiencies availa
pdf
IRG4PC50SPBF International Rectifier
International Rectifier
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

• Lead-Free PD - 95131 IRG4PC50SPbF www.irf.com 1 3/18/04 IRG4PC50SPbF 2 www.irf.com IRG4PC50SPbF www.irf.com 3 IRG4PC50SPbF 4 www.irf.com IRG4PC50SPbF www.irf.com 5 IRG4PC50SPbF 6 www.irf.com IRG4PC50SPbF www.irf.com 7 IRG4PC50SPbF TO-247AC Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) 15.90 (.626) 15.30 (.602) -B- 20.30 (.800) 19.70 (.775) 123 14.80 (.583) 14.20 (.559) 3.65 (.143) 3.55 (.140) 0.25 (.010) M D B M -A- 5.50 (.217) 2X 5.50 (.217) 4.50 (.177) -C4.30 (.170) 3.70 (.1
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты