DataSheet26.com


IRG4BC20UD даташит

Функция этой детали – «Insulated Gate Bipolar Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
IRG4BC20UD IRF
IRF
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

PD-91449C IRG4BC20UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UltraFast CoPack IGBT ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations • Industry standard TO-220AB package G E N-Channel VCE
pdf
IRG4BC20UD-S IRF
IRF
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

PD- 94077 IRG4BC20UD-S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations • Industry standard D2Pak package C UltraFast CoPack IGBT VCES = 600V G E VCE(o
pdf
IRG4BC20UD-SPBF International Rectifier
International Rectifier
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

PD- 95565A IRG4BC20UD-SPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations • Industry standard D2Pak package • Lead-Free C G E
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты