DataSheet26.com


IRFR9024N даташит

Функция этой детали – «Power Mosfet ( Transistor )».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
IRFR9024N IRF
IRF
  Power MOSFET ( Transistor )

PD - 9.1506 PRELIMINARY l l l l l l l IRFR/U9024N HEXFET® Power MOSFET D Ultra Low On-Resistance P-Channel Surface Mount (IRFR9024N) Straight Lead (IRFU9024N) Advanced Process Technology Fast Switching Fully Avalanche Rated VDSS = -55V RDS(on) = 0.175Ω G S ID = -11A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that
pdf
IRFR9024NCPBF International Rectifier
International Rectifier
  (IRFR9024NCPBF / IRFU9024NCPBF) HEXFET POWER MOSFET

PD - 96048 IRFR9024NCPbF IRFU9024NCPbF (IRFR9024NCPbF) (IRFU9024NCPbF) • Lead-Free www.irf.com 1 05/31/06 IRFR/U9024NCPbF 2 www.irf.com IRFR/U9024NCPbF www.irf.com 3 IRFR/U9024NCPbF 4 www.irf.com IRFR/U9024NCPbF www.irf.com 5 IRFR/U9024NCPbF 6 www.irf.com IRFR/U9024NCPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations • Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer + + - • dv/dt controlled by RG • ISD contr
pdf
IRFR9024NPBF International Rectifier
International Rectifier
  HEXFET POWER MOSFET

PD - 95015A IRFR9024NPbF IRFU9024NPbF • Lead-Free www.irf.com 1 12/14/04 IRFR/U9024NPbF 2 www.irf.com IRFR/U9024NPbF www.irf.com 3 IRFR/U9024NPbF 4 www.irf.com IRFR/U9024NPbF www.irf.com 5 IRFR/U9024NPbF 6 www.irf.com IRFR/U9024NPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations • Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Cur
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты