|
IKW25N120T2 даташитФункция этой детали – «Igbt ( Insulated Gate Bipolar Transistor )». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
IKW25N120T2 | Infineon Technologies |
IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) IKW25N120T2
TrenchStop® 2nd generation Series
Low Loss DuoPack : IGBT in 2nd generation TrenchStop®
with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
C
Short circuit withstand time – 10s
Designed for :
- Frequency Converters
- Uninterrupted Power Supply TrenchStop® 2nd generation for 1200 V applications offers :
G E
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
Easy paralleling capability due to positive temperature coefficient in VCE(s |
Это результат поиска, начинающийся с "25N120T2", "IKW25N12" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
IKW25N120H3 | Infineon Technologies |
IGBT IGBT
HighspeedDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecovery anti-paralleldiode
IKW25N120H3
1200Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl
IKW25N120H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
Highspeed |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |