|
HY810A даташитФункция этой детали – «Optosensor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HY810A | ETC |
Optosensor |
Это результат поиска, начинающийся с "810A", "HY8" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N2810A | Microsemi Corporation |
SILICON 50 WATT ZENER DIODES |
|
1N2810A | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 12V 10% 50W 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
1N3810A | New Jersey Semiconductor |
Diode Forward Ref. Stabistor 1.75V 2-Pin DO-35 |
|
2N3810A | Motorola Semiconductors |
(2N3806 - 2N3811) Dual AMplifier Transistors w
w
a D . w
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
w
w
.D w
t a
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
2N3810A | Central Semiconductor |
SILICON DUAL PNP TRANSISTORS 2N3810 2N3810A
SILICON DUAL PNP TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3810 and 2N3810A are dual silicon PNP transistors manufactured by the epitaxial planar process utilizing two individual chips mounted in a hermetically seale |
|
2N3810A | NES |
PNP Silicon Dual Amplifier Transistor |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |