DataSheet26.com


HX60TN даташит

Функция этой детали – «Diode (spec Sheet)».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
HX60TN American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
  Diode (spec sheet)

pdf

Это результат поиска, начинающийся с "60TN", "HX6"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
WCR650N60TN WillSEMI
WillSEMI

MOSFET ( Transistor )

WCR650N60T Series WCR650N60T/ WCR650N60TF/ WCR650N60TG/ WCR650N60TN 600V N-Channel Super Junction MOSFET Description Features The WCR600N60T series is new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on r
pdf
01N60P Advanced Power Electronics
Advanced Power Electronics

AP01N60P

AP01N60P Pb Free Plating Product N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Advanced Power Electronics Corp. ▼ Dynamic dv/dt Rating ▼ Repetitive Avalanche Rated ▼ Fast Switching ▼ Simple Drive Requirement ▼ RoHS Compliant G D S BVDSS RDS(ON) ID TO-22
pdf
0230600L Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

Silicon Controlled Rectifier

pdf
0230600L Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

Silicon Controlled Rectifier

pdf
02N60P ETC
ETC

SSM02N60P

SSM02N60P N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET Repetitive-avalanche rated Fast-switching Simple drive requirement G D BV DSS RDS(ON) ID TO-220 600V 8Ω 2A Description S The TO-220 package is widely preferred for commercial and industrial applications.
pdf
02N60S5 Infineon Technologies
Infineon Technologies

SPN02N60S5

SPN02N60S5 Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Extreme dv/dt rated • Ultra VDS RDS(on) ID 600 3 0.4 SOT-223 4 V Ω A low effective capacitances • Improved transconductance 2
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты