|
HX60TN даташитФункция этой детали – «Diode (spec Sheet)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HX60TN | American Microsemiconductor |
Diode (spec sheet) |
Это результат поиска, начинающийся с "60TN", "HX6" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
WCR650N60TN | WillSEMI |
MOSFET ( Transistor ) WCR650N60T Series
WCR650N60T/ WCR650N60TF/ WCR650N60TG/ WCR650N60TN
600V N-Channel Super Junction MOSFET
Description
Features
The WCR600N60T series is new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding low on r |
|
01N60P | Advanced Power Electronics |
AP01N60P
AP01N60P
Pb Free Plating Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Advanced Power Electronics Corp.
▼ Dynamic dv/dt Rating ▼ Repetitive Avalanche Rated ▼ Fast Switching ▼ Simple Drive Requirement ▼ RoHS Compliant
G D S
BVDSS RDS(ON) ID TO-22 |
|
0230600L | Microsemi Corporation |
Silicon Controlled Rectifier |
|
0230600L | Microsemi Corporation |
Silicon Controlled Rectifier |
|
02N60P | ETC |
SSM02N60P
SSM02N60P
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET
Repetitive-avalanche rated Fast-switching Simple drive requirement
G D
BV DSS RDS(ON) ID TO-220
600V 8Ω 2A
Description
S
The TO-220 package is widely preferred for commercial and industrial applications. |
|
02N60S5 | Infineon Technologies |
SPN02N60S5 SPN02N60S5 Cool MOS™ Power Transistor
Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Extreme dv/dt rated
• Ultra
VDS RDS(on) ID
600 3 0.4
SOT-223
4
V Ω A
low effective capacitances
• Improved transconductance
2 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |