|
HMC581LP6E даташитФункция этой детали – «High Ip3 RfIC Dual Downconverter». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HMC581LP6E | Hittite Microwave |
High IP3 RFIC Dual Downconverter
HMC581LP6 / 581LP6E
v00.0806
HIGH IP3 RFIC DUAL DOWNCONVERTER, 800 - 960 MHz
Typical Applications
The HMC581LP6 / HMC581LP6E is ideal for Wireless Infrastructure Applications: • GSM, GPRS & EDGE • CDMA & W-CDMA
Features
+26 dBm Input IP3 Low Single Input LO Drive: 0 dBm 9 dB Conversion Gain 13 dB Noise Figure Single Positive Supply: +5V @ 260 mA
8
MIXERS - SMT
• Cellular / 3G Infrastructure
Functional Diagram
General Description
The HMC581LP6 & HMC581LP6E are high linearity Dual Down Co |
Это результат поиска, начинающийся с "581LP6E", "HMC581L" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N5816 | Digitron Semiconductors |
HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS 1N5812(R)-1N5816(R)
High-reliability discrete products and engineering services since 1977
HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS
FEATURES Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. Available as non-Ro |
|
1N5816 | Microsemi Corporation |
HIGH RELIABILITY ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http://www.microsemi.com
HIGH RELIABILITY ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
Qualified per MIL-PRF-19500/478
• 175°C Junction Temperature • VRRM 50 to 150 Volts |
|
1N5816 | Micro Commercial Components |
20 Amp Ultra Fast Recovery Rectifier 50 to 150 Volts MCC
omponents 21201 Itasca Street Chatsworth !"# $
% !"#
1N5812 thru 1N5816
20 Amp Ultra Fast Recovery Rectifier 50 to 150 Volts
DO-4
B N M C J
Features
• • Full threads eithin 2 1/2 threads Standard Polarity : S |
|
1N5816 | New Jersey Semiconductor |
Diode Switching 150V 20A 2-Pin DO-4 |
|
1N5816 | Solid State |
RECTIFIERS |
|
1N5816A | New Jersey Semiconductor |
Diode Switching 150V 20A Die |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |