|
HA1156W даташитФункция этой детали – «Fm Stereo Demodulator». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
HA1156W | Hitachi Semiconductor |
FM Stereo Demodulator |
Это результат поиска, начинающийся с "1156W", "HA11" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1156 | NEC |
PNP SILICON POWER TRANSISTOR |
|
2SB1156 | Panasonic Semiconductor |
Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching) Power Transistors
2SB1156
Silicon PNP epitaxial planar type
For power switching Complementary to 2SD1707
Unit: mm
s Features
q q q q
16.2±0.5 12.5 3.5 Solder Dip
s Absolute Maximum Ratings
Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base volta |
|
2SB1156 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SB1156
DESCRIPTION ·With TO-3PFa package ·Complement to type 2SD1707 ·Low collector saturation voltage ·Large collector current APPLICATIONS ·For power switching applications
|
|
2SC1156 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC1156
DESCRIPTION ·With TO-202 package ·High transition frequency ·Complement to type 2SA646 APPLICATIONS ·For power amplifier switching applications
PINNING(see Fig.2) PIN 1 |
|
2SK1156 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK1155, 2SK1156
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter
Outline
TO-220AB
D G
1
2
3 1 |
|
2SK1156 | Renesas |
(2SK1155 / 2SK1156) Silicon N Channel MOS FET 2SK1155, 2SK1156
Silicon N Channel MOS FET
REJ03G0909-0200 (Previous: ADE-208-1247) Rev.2.00 Sep 07, 2005
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching r |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |