|
H15R1203 даташитФункция этой детали – «Reverse Conducting Igbt». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
H15R1203 | Infineon Technologies |
Reverse conducting IGBT ResonantSwitchingSeries
ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode
IHW15N120R3
Datasheet IndustrialPowerControl
ResonantSwitchingSeries
IHW15N120R3
ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode
Features:
•Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage designedforsoftcommutationonly •TRENCHSTOPTMtechnologyapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCEsat -easyparallelswitchingcapabilityduetopositive tem |
Это результат поиска, начинающийся с "15R1203", "H15R1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
H15R1202 | Infineon |
Reverse Conducting IGBT IHW15N120R2
Soft Switching Series
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
Features: • Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage • Body diode clamps negative voltages • Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers : - very tig |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |