|
H12NA60 даташитФункция этой детали – «Sth12na60». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
H12NA60 | STMicroelectronics |
STH12NA60 STH12NA60/FI STW12NA60
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE
STH12NA60 STH12NA60FI STW12NA60
VDSS
600 V 600 V 600 V
R DS( on)
< 0.6 Ω < 0.6 Ω < 0.6 Ω
ID
12 A 7A 12 A
s TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC
s LOW INTRINSIC CAPACITANCES s GATE GHARGE MINIMIZED s REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD
DESCRIPTION This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimized |
Это результат поиска, начинающийся с "12NA60", "H12N" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
STH12NA60 | ST Microelectronics |
N-CHANNEL Power MOS MOSFET STH12NA60/FI STW12NA60
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STH12NA60 STH12NA60FI STW12NA60
s s s s s s s
V DSS 600 V 600 V 600 V
R DS( on) < 0.6 Ω < 0.6 Ω < 0.6 Ω
ID 12 A 7A 12 A
TO-247
TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RA |
|
STH12NA60FI | STMicroelectronics |
N-CHANNEL Power MOS MOSFET STH12NA60/FI STW12NA60
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STH12NA60 STH12NA60FI STW12NA60
s s s s s s s
V DSS 600 V 600 V 600 V
R DS( on) < 0.6 Ω < 0.6 Ω < 0.6 Ω
ID 12 A 7A 12 A
TO-247
TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RA |
|
STW12NA60 | ST Microelectronics |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH12NA60/FI STW12NA60
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STH12NA60 STH12NA60FI STW12NA60
s s s s s s s
V DSS 600 V 600 V 600 V
R DS( on) < 0.6 Ω < 0.6 Ω < 0.6 Ω
ID 12 A 7A 12 A
TO-247
TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω ± 30V GATE |
|
W12NA60 | STMicroelectronics |
STW12NA60
STH12NA60/FI STW12NA60
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPE STH12NA60 STH12NA60FI STW12NA60
s s s s s s s
V DSS 600 V 600 V 600 V
R DS( on) < 0.6 Ω < 0.6 Ω < 0.6 Ω
ID 12 A 7A 12 A
TO-247
TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω ± 30V GAT |
|
1260PT | nELL |
Phase Control Thyristors SEMICONDUCTOR
RRooHHSS
SEMICONDUCTOR
1260PT Series RRooHHSS
www.nellsemi.com
Page 2 of 2
|
|
2SB1260 | ROHM Semiconductor |
Power Transistor 2SB1260 / 2SB1181
PNP -1.0A -80V Middle Power Transistor
Parameter
VCEO IC
Value
-80V -1.0A
lOutline
MPT3
Base Collector
Emitter
lFeatures
1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types : 2SD1898 / 2SD1733 3) Low VCE(sat)
VCE(sat)= -0.4V Max. (IC/IB= -500mA/ - |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |