DataSheet26.com


H12NA60 даташит

Функция этой детали – «Sth12na60».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
H12NA60 STMicroelectronics
STMicroelectronics
  STH12NA60

STH12NA60/FI STW12NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STH12NA60 STH12NA60FI STW12NA60 VDSS 600 V 600 V 600 V R DS( on) < 0.6 Ω < 0.6 Ω < 0.6 Ω ID 12 A 7A 12 A s TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω s ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING s 100% AVALANCHE TESTED s REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC s LOW INTRINSIC CAPACITANCES s GATE GHARGE MINIMIZED s REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD DESCRIPTION This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimized
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "12NA60", "H12N"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
STH12NA60 ST Microelectronics
ST Microelectronics

N-CHANNEL Power MOS MOSFET

STH12NA60/FI STW12NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STH12NA60 STH12NA60FI STW12NA60 s s s s s s s V DSS 600 V 600 V 600 V R DS( on) < 0.6 Ω < 0.6 Ω < 0.6 Ω ID 12 A 7A 12 A TO-247 TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RA
pdf
STH12NA60FI STMicroelectronics
STMicroelectronics

N-CHANNEL Power MOS MOSFET

STH12NA60/FI STW12NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STH12NA60 STH12NA60FI STW12NA60 s s s s s s s V DSS 600 V 600 V 600 V R DS( on) < 0.6 Ω < 0.6 Ω < 0.6 Ω ID 12 A 7A 12 A TO-247 TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RA
pdf
STW12NA60 ST Microelectronics
ST Microelectronics

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

STH12NA60/FI STW12NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STH12NA60 STH12NA60FI STW12NA60 s s s s s s s V DSS 600 V 600 V 600 V R DS( on) < 0.6 Ω < 0.6 Ω < 0.6 Ω ID 12 A 7A 12 A TO-247 TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω ± 30V GATE
pdf
W12NA60 STMicroelectronics
STMicroelectronics

STW12NA60

STH12NA60/FI STW12NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE STH12NA60 STH12NA60FI STW12NA60 s s s s s s s V DSS 600 V 600 V 600 V R DS( on) < 0.6 Ω < 0.6 Ω < 0.6 Ω ID 12 A 7A 12 A TO-247 TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω ± 30V GAT
pdf
1260PT nELL
nELL

Phase Control Thyristors

SEMICONDUCTOR RRooHHSS SEMICONDUCTOR 1260PT Series RRooHHSS www.nellsemi.com Page 2 of 2
pdf
2SB1260 ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Power Transistor

2SB1260 / 2SB1181 PNP -1.0A -80V Middle Power Transistor Parameter VCEO IC Value -80V -1.0A lOutline MPT3 Base Collector Emitter lFeatures 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types : 2SD1898 / 2SD1733 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.4V Max. (IC/IB= -500mA/ -
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты