DataSheet26.com


H1164NL даташит

Функция этой детали – «10/100base-tx Transformer Modules».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
H1164NL Pulse
Pulse
  10/100Base-TX Transformer Modules

10/100Base-TX Transformer Modules For Auto MDI/MDIX Applications RoHS peak reflow temperature rating 245°C Symmetrical transmit and receive channels for Auto MDI/MDIX capability Approved for use with the Broadcom BCM5226 and Level One LXT9784 Meets IEEE 802.3 specification Electrical Specifications @ 25°C - Operating Temperature 0°C to 70°C RoHS Compliant Part Number 2 H1164NL 3d 1, 3d Insertion Loss (MAX) 0.1-100 MHz 2-30 MHz -1.0 -1.4 -18 -18 Return Loss (dB MIN) 40 MHz -14.4 -14.4 50 MHz -13.1 -13.1 60-80 MHz
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1164NL", "H116"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N1164 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

SILICON PNP TRANSISTOR

pdf
2SD1164-Z NEC
NEC

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3

pdf
2SD1164-Z Renesas
Renesas

SILICON POWER TRANSISTOR

Preliminary Data Sheet 2SD1164-Z SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION R07DS0254EJ0400 Rev.4.00 Feb 24, 2011 The 2SD1164-Z is designed for Low Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High hFE = 2 000 to 30 000 ABSOLUTE MA
pdf
2SK1164 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon N-Channel MOS FET

2SK1163, 2SK1164 Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features • • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter Outline TO-3P D G 1 2 3 1. Gate
pdf
54ACT11640 Texas Instruments
Texas Instruments

Octal Bus Transceivers With 3-State Outputs (Rev. A)

pdf
74AC11640 Texas Instruments
Texas Instruments

Octal Bus Transceiver With 3-State Outputs (Rev. A)

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты