|
H1101NL даташитФункция этой детали – «10/100base-t Single Port Surface Mount MagnetICs». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
H1101NL | Pulse |
10/100BASE-T SINGLE PORT SURFACE MOUNT MAGNETICS 10/100BASE-T SINGLE PORT SURFACE MOUNT MAGNETICS
With Various Turns Ratios
RoHS peak reflow temperature rating: 245°C°° Meets IEEE 802.3 specification Compact footprint for use in the most space-restrictive applications
Electrical Specifications @ 25°C — Operating Temperature 0°C to 70°C
RoHS Compliant Part Number H1100NL3a H1101NL3a H1102NL
3a
Turns Ratio TX 2:1 1.25:1 1:1 1:1.414 1:1 1:1 1:1 1:1 1:1 RX 1:1 1:1 1:1 1:1 1:1 1:1 1:1 1:1 1:1
Insertion Loss 100 kHz-100 MHz (dB MAX) -1.1 -1.1 -1.1 -1.1 -1.0 -0.9 - |
Это результат поиска, начинающийся с "1101NL", "H110" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
11016 | California Micro Devices |
PRN110
CALIFORNIA MICRO DEVICES
PRN100/110
Isolated Resistor Termination Network
Features
• Stable resistor network • High speed termination network • 8 or 12 terminating lines/package • Saves board space and reduces assembly cost
Applications
• Series |
|
2SB1101 | Hitachi Semiconductor |
(2SB1101 / 2SB1102) LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR |
|
2SB1101 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SB1101
DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SD1601 ·DARLINGTON ·High DC current gain APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications
PINNING PIN |
|
2SD1101 | Hitachi Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial 2SD1101
Silicon NPN Epitaxial
Application
• Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SB831
Outline
MPAK
3 1 2
1. Emitter 2. Base 3. Collector
2SD1101
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to ba |
|
2SD1101 | Guangdong Kexin Industrial |
Silicon NPN Epitaxial SMD Type
Silicon NPN Epitaxial 2SD1101
SOT-23
+0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1
Transistors IC
Unit: mm
Features
+0.1 2.4-0.1
Low Frequency amplifier.
+0.1 1.3-0.1
1
+0.1 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05 0.1-0.01
+0.1 0.97-0.1
1.Base 2.Emitter 3.collector
Absolute M |
|
2SD1101 | Renesas |
Silicon NPN Epitaxial 2SD1101
Silicon NPN Epitaxial
REJ03G0775-0200 (Previous ADE-208-1142) Rev.2.00 Aug.10.2005
Application
• Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SB831
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK)
3 1 2
1. Emitter 2. Base 3. Collector
Note:
Ma |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |