DataSheet26.com


H10NC60FI даташит

Функция этой детали – «Sth10nc60fi».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
H10NC60FI ST Microelectronics
ST Microelectronics
  STH10NC60FI

N-CHANNEL 600V - 0.6Ω - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh™II MOSFET TYPE STW10NC60 STH10NC60FI s s s s s STW10NC60 STH10NC60FI VDSS 600 V 600 V RDS(on) < 0.75 Ω < 0.75 Ω ID 10 A 10 A (*) TYPICAL RDS(on) = 0.6 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK GATE CHARGE MINIMIZED TO-247 3 3 2 1 2 1 DESCRIPTION The PowerMESH™II is the evolution of the first generation of MESH OVERLAY™. The layout refinements introduced greatly improve the Ron*area
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "10NC60FI", "H10NC6"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
STH10NC60FI ST Microelectronics
ST Microelectronics

N-CHANNEL Power MOS MOSFET

N-CHANNEL 600V - 0.6Ω - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh™II MOSFET TYPE STW10NC60 STH10NC60FI s s s s s STW10NC60 STH10NC60FI VDSS 600 V 600 V RDS(on) < 0.75 Ω < 0.75 Ω ID 10 A 10 A (*) TYPICAL RDS(on) = 0.6 Ω EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED
pdf
1410604 C&D Technologies
C&D Technologies

Bobbin Type Inductors

pdf
1410604 C&D Technologies
C&D Technologies

Bobbin Type Inductors

pdf
1410604C Murata
Murata

Bobbin Type Inductors

www.murata-ps.com 1400 Series Bobbin Type Inductors FEATURES n RoHS compliant n Radial format n -40°C to 85°C operating temperature n Up to 13A IDC n 10μH to 22mH n Low DC resistance n Fully tinned leads n PCB mounting hole n Low temperature dependence n Backward compatible
pdf
1410605 C&D Technologies
C&D Technologies

Bobbin Type Inductors

pdf
1410605 C&D Technologies
C&D Technologies

Bobbin Type Inductors

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты