|
GZF20C даташитФункция этой детали – «(gzf3v6c - Gzf91c) Zener Diodes». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
GZF20C | Vishay Siliconix |
Zener Diodes VISHAY
GZF3V6C to GZF91C
Vishay Semiconductors
Zener Diodes
Features
• Silicon Planar Power Zener Diodes. • Low profile surface-mount package. • Low leakage current • High temperature soldering: 260 °C/10 sec. at terminals
17249
Mechanical Data
Case: JEDEC DO-219AB (SMF®) Plastic Case
Packaging codes/options: GS18 - 10 K per 13 " reel, (8 mm tape), 50 K/box GS08 - 3 K per 7 " reel, (8 mm tape), 30 K/box Weight: approx. 0.01 g
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Ze |
|
GZF20C | LGE |
(GZF3V6C - GZF91C) Zener Diodes GZF3V6C-GZF91C
Zener Diodes
VZ :
3.6 -- 91 V 800 mW
POWER DISSIPATION:
Features
¡ó ¡ó ¡ó ¡ó Silicon planar power zener diodes. Low leakage current Low profile surface mount package. High temperature soldering: 260¡æ /10 sec.at terminals.
1.4± 0.15 0.6 1.9± 0.1
SOD-123FL
Cathode Band Top View
2.8 0.1 0.10-0.30 0.25 3.7 0.2
Mechanical Data
¡ó ¡ó ¡ó ¡ó ¡ó Case:JEDEC SOD-123FL,molded plastic Terminals: Solderable per MILSTD-202,Method 208 Polarity: Color band denotes cathods end Weight: 0.006 ou |
|
GZF20C | Galaxy Semi-Conductor |
(GZF3V6C - GZF91C) ZENER DIODES BL
¡ó ¡ó ¡ó ¡ó
GALAXY ELECTRICAL
VZ :
GZF3V6C---GZF91C
3.6 -- 91 V 800 mW POWER DISSIPATION:
ZENER DIODES
FEATURES
Silicon planar power zener diodes. Low leakage current Low profile surface mount package. High temperature soldering: 260¡æ /10 sec.at terminals.
SOD-123FL
Cathode Band Top View
1.8 0.1
1.0 0.2
5¡ã
2.8 0.1 0.05 0.30 0.98 0.1
MECHANICAL DATA
5
0.60 0.25
¡ó ¡ó ¡ó ¡ó ¡ó
Case:JEDEC SOD-123FL,molded plastic Terminals: Solderable per MILSTD-202,Method 208 Polarity: Color band deno |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |