DataSheet26.com


GZF20C даташит

Функция этой детали – «(gzf3v6c - Gzf91c) Zener Diodes».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
GZF20C Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
  Zener Diodes

VISHAY GZF3V6C to GZF91C Vishay Semiconductors Zener Diodes Features • Silicon Planar Power Zener Diodes. • Low profile surface-mount package. • Low leakage current • High temperature soldering: 260 °C/10 sec. at terminals 17249 Mechanical Data Case: JEDEC DO-219AB (SMF®) Plastic Case Packaging codes/options: GS18 - 10 K per 13 " reel, (8 mm tape), 50 K/box GS08 - 3 K per 7 " reel, (8 mm tape), 30 K/box Weight: approx. 0.01 g Absolute Maximum Ratings Tamb = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Ze
pdf
GZF20C LGE
LGE
  (GZF3V6C - GZF91C) Zener Diodes

GZF3V6C-GZF91C Zener Diodes VZ : 3.6 -- 91 V 800 mW POWER DISSIPATION: Features ¡ó ¡ó ¡ó ¡ó Silicon planar power zener diodes. Low leakage current Low profile surface mount package. High temperature soldering: 260¡æ /10 sec.at terminals. 1.4± 0.15 0.6 1.9± 0.1 SOD-123FL Cathode Band Top View 2.8 0.1 0.10-0.30 0.25 3.7 0.2 Mechanical Data ¡ó ¡ó ¡ó ¡ó ¡ó Case:JEDEC SOD-123FL,molded plastic Terminals: Solderable per MILSTD-202,Method 208 Polarity: Color band denotes cathods end Weight: 0.006 ou
pdf
GZF20C Galaxy Semi-Conductor
Galaxy Semi-Conductor
  (GZF3V6C - GZF91C) ZENER DIODES

BL ¡ó ¡ó ¡ó ¡ó GALAXY ELECTRICAL VZ : GZF3V6C---GZF91C 3.6 -- 91 V 800 mW POWER DISSIPATION: ZENER DIODES FEATURES Silicon planar power zener diodes. Low leakage current Low profile surface mount package. High temperature soldering: 260¡æ /10 sec.at terminals. SOD-123FL Cathode Band Top View 1.8 0.1 1.0 0.2 5¡ã 2.8 0.1 0.05 0.30 0.98 0.1 MECHANICAL DATA 5 0.60 0.25 ¡ó ¡ó ¡ó ¡ó ¡ó Case:JEDEC SOD-123FL,molded plastic Terminals: Solderable per MILSTD-202,Method 208 Polarity: Color band deno
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты