DataSheet26.com


GS1332E даташит

Функция этой детали – «N-channel Enhancement Mode Power Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
GS1332E GTM
GTM
  N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Pb Free Plating Product ISSUED DATE :2005/03/10 REVISED DATE :2006/11/24C GS1332E N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS RDS(ON) ID 20V 600m 600mA The GS1332E provide the designer with best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. *Simple Gate Drive *Small Package Outline *2KV ESD Rating (Per MIL-STD-883D) Description Features Package Dimensions REF. A A1 A2 D E HE Millimeter Min. Max. 0.80 1.10 0 0.10 0.80 1.00 1.80 2.20 1.15 1.35 1.80 2.40 REF. L1 L
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1332E", "GS13"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
AP1332EU Advanced Power Electronics
Advanced Power Electronics

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

AP1332EU Advanced Power Electronics Corp. ▼ Simple Gate Drive ▼ Small Package Outline ▼ 2KV ESD Rating(Per MIL-STD-883D) D N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS RDS(ON) ID S 20V 600mΩ 600mA SOT-323 G Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide th
pdf
G1332E GTM
GTM

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Pb Free Plating Product ISSUED DATE :2005/03/10 REVISED DATE :2006/11/24C G1332E N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS RDS(ON) ID 20V 600m 600mA Description The G1332E provide the designer with best combination of fast switching, low on-resistanc
pdf
SMG1332E SeCoS
SeCoS

N-Channel Enhancement Mode Power MosFET

SMG1332E Elektronische Bauelemente 600mA, 20V,RDS(ON)600m£[ N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product Description The SMG1332E provide the designer with best combination of fast swirching, low on-resistance and cost-effectiveness. S 2 A L 3 Top View SC-
pdf
2SA1332 SavantIC
SavantIC

SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1332 DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High VCEO APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Colle
pdf
2SA1332 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

POWER TRANSISTOR

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1332 DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High VCEO APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector Base · Absol
pdf
2SB1332 ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

TRANSISTORS TO 92L TO-92LS MRT

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты