|
GS1332E даташитФункция этой детали – «N-channel Enhancement Mode Power Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
GS1332E | GTM |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2005/03/10 REVISED DATE :2006/11/24C
GS1332E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
20V 600m 600mA
The GS1332E provide the designer with best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. *Simple Gate Drive *Small Package Outline *2KV ESD Rating (Per MIL-STD-883D)
Description
Features
Package Dimensions
REF. A A1 A2 D E HE
Millimeter Min. Max. 0.80 1.10 0 0.10 0.80 1.00 1.80 2.20 1.15 1.35 1.80 2.40
REF. L1 L |
Это результат поиска, начинающийся с "1332E", "GS13" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
AP1332EU | Advanced Power Electronics |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET AP1332EU
Advanced Power Electronics Corp.
▼ Simple Gate Drive ▼ Small Package Outline ▼ 2KV ESD Rating(Per MIL-STD-883D)
D
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
S
20V 600mΩ 600mA
SOT-323 G
Description
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide th |
|
G1332E | GTM |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2005/03/10 REVISED DATE :2006/11/24C
G1332E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS RDS(ON) ID
20V 600m 600mA
Description
The G1332E provide the designer with best combination of fast switching, low on-resistanc |
|
SMG1332E | SeCoS |
N-Channel Enhancement Mode Power MosFET SMG1332E
Elektronische Bauelemente 600mA, 20V,RDS(ON)600m£[
N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET
RoHS Compliant Product
Description
The SMG1332E provide the designer with best combination of fast swirching, low on-resistance and cost-effectiveness.
S
2
A L
3 Top View
SC- |
|
2SA1332 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SA1332
DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High VCEO APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications
PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Colle |
|
2SA1332 | Inchange Semiconductor |
POWER TRANSISTOR Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SA1332
DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High VCEO APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications
PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector Base
·
Absol |
|
2SB1332 | ROHM Semiconductor |
TRANSISTORS TO 92L TO-92LS MRT |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |