|
FQPF8N60C даташитФункция этой детали – «600v N-channel Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
FQPF8N60C | Fairchild Semiconductor |
600V N-Channel MOSFET FQP8N60C/FQPF8N60C
QFET
FQP8N60C/FQPF8N60C
600V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor |
|
FQPF8N60CF | Fairchild Semiconductor |
600V N-Channel MOSFET www.DataSheet.co.kr
FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET
February 2006
FRFET
FQPF8N60CF
600V N-Channel MOSFET
Features
• • • • • • 6.26A, 600V, RDS(on) = 1.5Ω @VGS = 10 V Low gate charge ( typical 28 nC) Low Crss ( typical 12 pF) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability
TM
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to min |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |