DataSheet26.com


FQPF10N50CF даташит

Функция этой детали – «N-channel Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
FQPF10N50CF Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
  N-Channel MOSFET

FQP10N50CF / FQPF10N50CF 500V N-Channel MOSFET December 2006 FRFET FQP10N50CF / FQPF10N50CF 500V N-Channel MOSFET Features • 10A, 500V, RDS(on) = 0.61 Ω @VGS = 10 V • Low gate charge (typical 43 nC) • Low Crss (typical 16pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • Fast recovery body diode TM Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology ha
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "10N50CF", "FQPF10N5"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
FQB10N50CF Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

N-Channel MOSFET

FQB10N50CF — N-Channel QFET® FRFET® MOSFET FQB10N50CF N-Channel QFET® FRFET® MOSFET 500 V, 10 A, 610 m October 2013 Features • 10 A, 500 V, RDS(on) = 610 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 5 A • Low gate charge ( Typ. 45 nC) • Low Crss ( Typ. 17.5 pF) • 100% av
pdf
FQP10N50CF Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

N-Channel MOSFET

FQP10N50CF / FQPF10N50CF 500V N-Channel MOSFET December 2006 FRFET FQP10N50CF / FQPF10N50CF 500V N-Channel MOSFET Features • 10A, 500V, RDS(on) = 0.61 Ω @VGS = 10 V • Low gate charge (typical 43 nC) • Low Crss (typical 16pF) • Fast switching • 100% avalanche tested
pdf
1SCA105000R1001 ABB
ABB

neutral and earth terminals

pdf
1SCA105001R1001 ABB
ABB

neutral and earth terminals

pdf
1SCA105083R1001 ABB
ABB

neutral and earth terminals

pdf
1SCA105088R1001 ABB
ABB

neutral and earth terminals

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты