|
FQP10N60C даташитФункция этой детали – «600v N-channel Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
FQP10N60C | Fairchild Semiconductor |
600V N-Channel MOSFET FQP10N60C / FQPF10N60C — N-Channel QFET® MOSFET
November 2013
FQP10N60C / FQPF10N60C
N-Channel QFET® MOSFET
600 V, 9.5 A, 730 mΩ
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to mini-mize on-state resistance, provide superior switching perfor-mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for |
|
FQP10N60CF | Fairchild Semiconductor |
N-Channel MOSFET FQP10N60CF / FQPF10N60CF 600V N-Channel MOSFET
February 2007
FRFET
FQP10N60CF / FQPF10N60CF
600V N-Channel MOSFET
Features
• 9A, 600V, RDS(on) = 0.8Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 44 nC) • Low Crss ( typical 18 pF) • Fast switching • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability
TM
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |