|
FDP6676S даташитФункция этой детали – «30v N-channel Powertrench Syncfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
FDP6676S | Fairchild Semiconductor |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET FDP6676S/FDB6676S
October 2001
FDP6676S / FDB6676S
30V N-Channel PowerTrench SyncFET™
General Description
This MOSFET is designed to replace a single MOSFET and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDP/B6676S includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET technology. The performance of the FDP/B6676S as the low-side switch in a synchronous rect |
Это результат поиска, начинающийся с "6676S", "FDP66" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
FDB6676S | Fairchild Semiconductor |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET FDP6676S/FDB6676S
October 2001
FDP6676S / FDB6676S
30V N-Channel PowerTrench SyncFET™
General Description
This MOSFET is designed to replace a single MOSFET and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conve |
|
FDS6676S | Fairchild Semiconductor |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET FDS6676S
July 2002
FDS6676S
30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™
General Description
The FDS6676S is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing |
|
1N6676 | Compensated Deuices Incorporated |
0.2 AND 0.5 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS • 1N6677-1 AVAILABLE IN PER MIL-PRF-19500/610
JAN, JANTX, JANTXV AND JANS
1N6675 thru 1N6677 and DSB0.2A20 thru DSB0.2A40 and DSB0.5A20 thru DSB0.5A40
• 0.2 AND 0.5 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS • HERMETICALLY SEALED • METALLURGICALLY BONDED • DOUBLE PLUG CONSTRUCT |
|
2N6676 | Mospec Semiconductor |
POWER TRANSISTORS(15A/175W) A
A
A
|
|
2N6676 | Boca Semiconductor Corporation |
NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
|
2N6676 | Microsemi Corporation |
(2N66xx) NPN POWER SILICON TRANSISTOR TECHNICAL DATA
NPN POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/538 Devices 2N6676 2N6678 2N6691 2N6693 Qualified Level JAN JANTX JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Base Current Coll |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |