DataSheet26.com


FDP6676S даташит

Функция этой детали – «30v N-channel Powertrench Syncfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
FDP6676S Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
  30V N-Channel PowerTrench SyncFET

FDP6676S/FDB6676S October 2001 FDP6676S / FDB6676S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET™ General Description This MOSFET is designed to replace a single MOSFET and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDP/B6676S includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET technology. The performance of the FDP/B6676S as the low-side switch in a synchronous rect
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "6676S", "FDP66"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
FDB6676S Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

30V N-Channel PowerTrench SyncFET

FDP6676S/FDB6676S October 2001 FDP6676S / FDB6676S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET™ General Description This MOSFET is designed to replace a single MOSFET and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conve
pdf
FDS6676S Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

30V N-Channel PowerTrench SyncFET

FDS6676S July 2002 FDS6676S 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™ General Description The FDS6676S is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing
pdf
1N6676 Compensated Deuices Incorporated
Compensated Deuices Incorporated

0.2 AND 0.5 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

• 1N6677-1 AVAILABLE IN PER MIL-PRF-19500/610 JAN, JANTX, JANTXV AND JANS 1N6675 thru 1N6677 and DSB0.2A20 thru DSB0.2A40 and DSB0.5A20 thru DSB0.5A40 • 0.2 AND 0.5 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS • HERMETICALLY SEALED • METALLURGICALLY BONDED • DOUBLE PLUG CONSTRUCT
pdf
2N6676 Mospec Semiconductor
Mospec Semiconductor

POWER TRANSISTORS(15A/175W)

A A A
pdf
2N6676 Boca Semiconductor Corporation
Boca Semiconductor Corporation

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

pdf
2N6676 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation

(2N66xx) NPN POWER SILICON TRANSISTOR

TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/538 Devices 2N6676 2N6678 2N6691 2N6693 Qualified Level JAN JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Base Current Coll
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты