|
FDP6676 даташитФункция этой детали – «30v N-channel LogIC Level Powertrench Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
FDP6676 | Fairchild Semiconductor |
30V N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET FDP6676/FDB6676
April 2001
FDP6676/FDB6676
30V N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for “low side” synchronous rectifier operation, providing an extremely low RDS(ON) .
Features
• 42 A, 30 V. RDS(ON) = 6.0 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 7.5 mΩ @ VGS = 4.5 V
• Critical DC electrical paramet |
|
FDP6676S | Fairchild Semiconductor |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET FDP6676S/FDB6676S
October 2001
FDP6676S / FDB6676S
30V N-Channel PowerTrench SyncFET™
General Description
This MOSFET is designed to replace a single MOSFET and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS(ON) and low gate charge. The FDP/B6676S includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET technology. The performance of the FDP/B6676S as the low-side switch in a synchronous rect |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |