DataSheet26.com


FDMS7692A даташит

Функция этой детали – «N-channel Mosfet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
FDMS7692A Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
  N-Channel MOSFET

FDMS7692A N-Channel PowerTrench® MOSFET June 2009 FDMS7692A N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 8 mΩ Features General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance. „ Max rDS(on) = 8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A „ Max
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "7692A", "FDMS76"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
BQ76925 Texas Instruments
Texas Instruments

3-Series to 6-Series Cell Li-Ion/Li-Polymer Battery Protection and Gas Gauging Applications (Rev. C)

pdf
FDMC7692 Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

N-Channel MOSFET

FDMC7692 N-Channel Power Trench® MOSFET July 2009 FDMC7692 30 V, 13.3 A, 8.5 m: Features „ Max rDS(on) = 8.5 m: at VGS = 10 V, ID = 13.3 A „ Max rDS(on) = 11.5 m: at VGS = 4.5 V, ID = 10.6 A „ High performance technology for extremely low rDS(on) „ Termination is Lead-free
pdf
FDMC7692S Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

MOSFET ( Transistor )

FDMC7692S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM FDMC7692S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 30 V, 18 A, 9.3 mΩ Features General Description June 2014 „ Max rDS(on) = 9.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 12.5 A „ Max rDS(on) = 13.6 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 10.4 A „ High performance t
pdf
FDMS7600AS Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

FDMS7600AS Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET December 2009 FDMS7600AS Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET Features Q1: N-Channel „ Max rDS(on) = 7.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 12 A „ Max rDS(on) = 12 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 10 A Q2: N-Channel „ Max rDS
pdf
FDMS7602S Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

FDMS7602S Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET May 2014 FDMS7602S Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET Q1: 30 V, 30 A, 7.5 mΩ Q2: 30 V, 30 A, 5.0 mΩ Features General Description Q1: N-Channel „ Max rDS(on) = 7.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 12 A „ Max rDS(on) = 12 mΩ at VGS =
pdf
FDMS7606 Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

FDMS7606 Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET May 2011 FDMS7606 Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET Q1: 30 V, 12 A, 11.4 mΩ Q2: 30 V, 22 A, 11.6 mΩ Features General Description Q1: N-Channel „ Max rDS(on) = 11.4 mΩ at VGS = 10 V, ID = 11.5 A „ Max rDS(on) = 15.7 mΩ at V
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты