|
FDMS7692A даташитФункция этой детали – «N-channel Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
FDMS7692A | Fairchild Semiconductor |
N-Channel MOSFET FDMS7692A N-Channel PowerTrench® MOSFET
June 2009
FDMS7692A
N-Channel PowerTrench® MOSFET
30 V, 8 mΩ Features General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
Max rDS(on) = 8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A Max |
Это результат поиска, начинающийся с "7692A", "FDMS76" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
BQ76925 | Texas Instruments |
3-Series to 6-Series Cell Li-Ion/Li-Polymer Battery Protection and Gas Gauging Applications (Rev. C) |
|
FDMC7692 | Fairchild Semiconductor |
N-Channel MOSFET FDMC7692 N-Channel Power Trench® MOSFET
July 2009
FDMC7692
30 V, 13.3 A, 8.5 m:
Features
Max rDS(on) = 8.5 m: at VGS = 10 V, ID = 13.3 A Max rDS(on) = 11.5 m: at VGS = 4.5 V, ID = 10.6 A High performance technology for extremely low rDS(on) Termination is Lead-free |
|
FDMC7692S | Fairchild Semiconductor |
MOSFET ( Transistor ) FDMC7692S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM
FDMC7692S
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM
30 V, 18 A, 9.3 mΩ
Features
General Description
June 2014
Max rDS(on) = 9.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 12.5 A Max rDS(on) = 13.6 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 10.4 A High performance t |
|
FDMS7600AS | Fairchild Semiconductor |
Dual N-Channel PowerTrench MOSFET FDMS7600AS Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
December 2009
FDMS7600AS
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
Features
Q1: N-Channel Max rDS(on) = 7.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 12 A Max rDS(on) = 12 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 10 A Q2: N-Channel Max rDS |
|
FDMS7602S | Fairchild Semiconductor |
Dual N-Channel PowerTrench MOSFET FDMS7602S Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
May 2014
FDMS7602S
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
Q1: 30 V, 30 A, 7.5 mΩ Q2: 30 V, 30 A, 5.0 mΩ
Features
General Description
Q1: N-Channel Max rDS(on) = 7.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 12 A Max rDS(on) = 12 mΩ at VGS = |
|
FDMS7606 | Fairchild Semiconductor |
Dual N-Channel PowerTrench MOSFET FDMS7606 Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
May 2011
FDMS7606
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET
Q1: 30 V, 12 A, 11.4 mΩ Q2: 30 V, 22 A, 11.6 mΩ
Features
General Description
Q1: N-Channel Max rDS(on) = 11.4 mΩ at VGS = 10 V, ID = 11.5 A Max rDS(on) = 15.7 mΩ at V |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |