|
FCU4300N80Z даташитФункция этой детали – «Mosfet ( Transistor )». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
FCU4300N80Z | Fairchild Semiconductor |
MOSFET ( Transistor ) FCU4300N80Z — N-Channel SuperFET® II MOSFET
December 2014
FCU4300N80Z
N-Channel SuperFET® II MOSFET
800 V, 1.6 A, 4.3 Features
• RDS(on) = 3.4 Typ.) • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 6.8 nC) • Low Eoss (Typ. 0.8 uJ @ 400V) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 36 pF) • 100% Avalanche Tested
• RoHS Compliant
• ESD Improved Capability
Applications
Description
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that |
Это результат поиска, начинающийся с "4300N80Z", "FCU4300N" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
FCPF4300N80Z | Fairchild Semiconductor |
MOSFET ( Transistor ) FCPF4300N80Z — N-Channel SuperFET® II MOSFET
August 2015
FCPF4300N80Z
N-Channel SuperFET® II MOSFET
800 V, 2.2 A, 4.3 Ω Features
• RDS(on) = 3.4 Ω (Typ.) • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 6.8 nC) • Low Eoss (Typ. 0.8 uJ @ 400V) • Low Effective Output Capacitance |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |