Datasheet F0118G Equivalent ( PDF )

N.º	Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
1	F0118G	GaAs Infrared Emitting Diode GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2 • Emissionswellenlänge: 950	OSRAM

F01 Datasheet ( Hoja de datos ) - resultados coincidentes

Número de pieza	Descripción	Fabricantes	PDF
F0118G	GaAs Infrared Emitting Diode GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2 • Emissio	OSRAM
F0118J	GaAs Infrared Emitting Diode GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge) GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil) F 0118J Vorläufige Daten / Preliminary data Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im Topled® Gehäuse. • Chipgröße 300 x 300 µm2 • GaAlAs-LE	OSRAM
F01-BJPT4-41BS00	Connector	Superbat

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SPS122	Modern EU gaming Machines require increased +12V current to accommodate the latest gaming peripherals. DC Converters have been engineered with Sanken’s latest technology to efficiently convert redundant power from our lamp gaming PSU and provide additional +12V capacity at the point of use.	Sanken	PDF

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