DataSheet26.com



F0118G даташит ( Даташиты, Даташиты )

Номер Номер в каталоге Описание Производители PDF
1 F0118G   GaAs Infrared Emitting Diode

GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED® Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2 • Emissionswellenlänge: 950 nm • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen • Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit Anwendungen • IR-Fernsteu
OSRAM
OSRAM
F0118G pdf Даташит



F0 даташита ( переписка )

Номер в каталоге Описание Производители PDF
F0603SB2500V032T

0603 Slow Blow Surface Mount Fuses

AEM
AEM
pdf
F0603FA2000V032T

0603 Fast Acting Surface Mount Fuses

AEM
AEM
pdf
F0800LC180

Extra Fast Recovery Diode

IXYS
IXYS
pdf
F0603SB1500V032T

0603 Slow Blow Surface Mount Fuses

AEM
AEM
pdf
F06C60

FAST RECOVERY RECTIFIERS(6.0/300-600)

Mospec Semiconductor
Mospec Semiconductor
pdf
F0603HI4000V032T

0603 High Inrush Current Surface Mount Fuses

AEM
AEM
pdf
F0603FF1000V032T

0603 Very Fast Acting Surface Mount Fuses

AEM
AEM
pdf
F0603HI3000V032T

0603 High Inrush Current Surface Mount Fuses

AEM
AEM
pdf
F05xxD-1W

DC/DC Converter

YUAN
YUAN
pdf
F08A50

FAST RECOVERY RECRIFIERS(8A/300-600V)

Mospec Semiconductor
Mospec Semiconductor
pdf


Ссылка Поделиться :
[1] 

Последние обновления

Номер в каталоге Описание Производители PDF
CD4515BC

The CD4514BC and CD4515BC are 4-to-16 line decoders with latched inputs implemented with complementary MOS (CMOS) circuits constructed with N- and P-channel enhancement mode transistors. These circuits are primarily used in decoding applications where low power dissipation and/or high noise immunity is required.

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
pdf
GUVA-S12SD

This electronic part is an UV-B Sensor.

ROITHNER
ROITHNER
pdf
HV101WU1-1E6

HV101WU1-1E6 is a color active matrix TFT LCD module using amorphous silicon TFT's (Thin Film Transistors) as an active switching devices. This module has a 10.1 inch diagonally measured active area with WUXGA resolutions (1920 horizontal by 1200 vertical pixel array).

HYDIS
HYDIS
pdf
KTD1145

This electronic part is an EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR.

KEC
KEC
pdf

На первой странице data sheets приводятся:
свойства компонента (features), его основные параметры (quick reference data), обозначение на принципиальных схемах (symbol), краткое описание (general description).



Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z  ALL






DataSheet26.com    |   2018    |   Контакты