|
EZJS1VC392 даташитФункция этой детали – «Multilayer Varistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
EZJS1VC392 | Panasonic |
Multilayer Varistor Multilayer Varistors
Multilayer Varistor for ESD pulse [DC voltage lines/High speed signal lines]
Series :
EZJZ
■ Handling Precautions
see pages 75 to 80
■ Features
● Excellent ESD suppression due to advanced material technology ● Meets IEC61000-4-2, Level 4 standard ● Can replace 2 Zener Diodes and 1 Capacitor ● Low capacitance versions for DC voltage lines of high speed busses ● Ultra low capacitance for signal lines of high speed busses ● Ideal usage for USB 2.0, IEEE1394, and |
Это результат поиска, начинающийся с "1VC392", "EZJS1VC" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1392 | Sanyo Semicon Device |
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Ordering number:EN1943A
Features
· Adoption of FBET process. · AF amp.
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1392/2SC3383
AF Amp Applications
Package Dimensions
unit:mm 2003A
[2SA1392/2SC3383]
( ) : 2SA1392
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Par |
|
2SB1392 | Hitachi Semiconductor |
Silicon PNP Triple Diffused 2SB1392
Silicon PNP Triple Diffused
Application
Low frequency power amplifier
Outline
TO-220FM
12 3
1. Base 2. Collector 3. Emitter
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Col |
|
2SB1392 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SB1392
DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low collector saturation voltage ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications
PINNING PI |
|
2SD1392 | ETC |
NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR |
|
2SK1392 | ETC |
Power MOSFET ( Transistor ) Free Datasheet http:///
Free Datasheet http:///
|
|
A1392 | Allegro MicroSystems |
(A1391 - A1395) Micro Power 3 V Linear Hall Effect Sensors A1391, A1392, A1393, and A1395
Micro Power 3 V Linear Hall Effect Sensor ICs withTri-State Output and User-Selectable Sleep Mode
Features and Benefits
▪ High-impedance output during sleep mode ▪ Compatible with 2.5 to 3.5 V power supplies ▪ 10 mW power consumption in the a |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |