|
ES1EFA даташитФункция этой детали – «Surface Mount Rectifiers». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
ES1EFA | Galaxy Microelectronics |
Surface Mount Rectifiers Production specification
Surface Mount Rectifiers
ES1AFA--ES1JFA
FEATURES
z Low cost z Low leakage z Low forward voltage drop
Pb
Lead-free
z High current capability
z Easily cleaned with Alcohol ,Isopropanol and similar solvents
z The plastic material carries U/L recognition 94V-0
MECHANICAL DATA
z Case: SMAFL molded plastic
z Terminals: Solder able per MIL- STD-202,Method 208
z Polarity: Color band denotes cathode
z Mounting position: Any
Maximum Ratings(@TA = 25°C unless otherwise specified)
Characteri |
Это результат поиска, начинающийся с "1EFA", "ES1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
R5F101EFANA | Renesas |
16-Bit Single-Chip Microcontrollers User’s Manual
RL78/G13 16
User’s Manual: Hardware
16-Bit Single-Chip Microcontrollers
All information contained in these materials, including products and product specifications, represents information on the product at the time of publication and is subject to change by |
|
R5F11EFAAFP | Renesas |
MCU RL78/G1G
RENESAS MCU
1. OUTLINE
1.1 Features
Ultra-low power consumption technology • VDD = single power supply voltage of 2.7 to 5.5 V • HALT mode • STOP mode • SNOOZE mode
RL78 CPU core • CISC architecture with 3-stage pipeline • Minimum instruction execution time: |
|
R5F11EFAAFP | Renesas |
MCU RL78/G1G
RENESAS MCU
1. OUTLINE
1.1 Features
Ultra-low power consumption technology • VDD = single power supply voltage of 2.7 to 5.5 V • HALT mode • STOP mode • SNOOZE mode
RL78 CPU core • CISC architecture with 3-stage pipeline • Minimum instruction execution time: |
|
.4M.64FR10 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
.4M.64FR10-1N816 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
.4M1.36FR2 | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |