DataSheet26.com


EPF8125S-RC даташит

Функция этой детали – «10/100base-tx Interface Module».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
EPF8125S-RC PCA ELECTRONICS
PCA ELECTRONICS
  10/100Base-TX Interface Module

10/100Base-TX Interface Module for PC Card Applications ELECTRONICS INC. EPF8125S & EPF8125S-RC • Recommended for use with SSI 78Q2120 chips • Low profile, fully integrated with two channels • Add “-RC” after part number for RoHS Compliant • Guaranteed to operate with 8 mA DC bias at 70°C • Complies with or exceeds IEEE 802.3, 10/100Base-TX Standards Electrical Parameters @ 25° C OCL @ 70°C 100 KHz, 0.1 Vrms 8 mA DC Bias Cable Side 350 µH 0.1-80 MHz Xmit/Rcv -1/-1 • Insertion Loss (dB Max.) 100 MHz
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "8125S", "EPF8125S"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
EPF8125S PCA ELECTRONICS
PCA ELECTRONICS

10/100Base-TX Interface Module

10/100Base-TX Interface Module for PC Card Applications ELECTRONICS INC. EPF8125S & EPF8125S-RC • Recommended for use with SSI 78Q2120 chips • Low profile, fully integrated with two channels • Add “-RC” after part number for RoHS Compliant • Guaranteed to operate wit
pdf
TA8125S Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

DUAL PRE-AMPLIFIER

TOSHIBA Bipolar Linear Integrated Circuit Silicon Monolithic TA8125S Dual Pre−Amplifier The TA8125S is dual output preamplifier designed for car or home use. Features · High open loop voltage gain : GVO = 100dB (typ.) at f = 1kHz · Excellent channel separation and high r
pdf
18125A103JAT7A AVX Corporation
AVX Corporation

C0G Dielectric

C0G (NP0) Dielectric m o General Specifications .c U 4 t e e h S a at .D w w w PART NUMBER (see page 2 for complete part number explanation) 0805 Size (L" x W") Voltage 6.3V = 6 10V = Z 16V = Y 25V = 3 50V = 5 100V = 1 200V = 2 Insulation Resistance (Ohm-Farads) Temperature C
pdf
18125xxxx AVX Corporation
AVX Corporation

C0G Dielectric

C0G (NP0) Dielectric m o General Specifications .c U 4 t e e h S a at .D w w w PART NUMBER (see page 2 for complete part number explanation) 0805 Size (L" x W") Voltage 6.3V = 6 10V = Z 16V = Y 25V = 3 50V = 5 100V = 1 200V = 2 Insulation Resistance (Ohm-Farads) Temperature C
pdf
81250HG ETC
ETC

NON-VOLATILE MEMORY/NON-VOLATILE RAM

pdf
AGR18125E TriQuint Semiconductor
TriQuint Semiconductor

Transistor

Product Brief AGR18125E 125 W, 1.805 GHz—1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor Introduction The AGR18125E is a 125 W, 26 V, N-channel goldmetallized, laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) RF power field effect transistor (FET) suitable for global system for mobil
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты