|
EPF8125S-RC даташитФункция этой детали – «10/100base-tx Interface Module». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
EPF8125S-RC | PCA ELECTRONICS |
10/100Base-TX Interface Module 10/100Base-TX Interface Module for PC Card Applications
ELECTRONICS INC.
EPF8125S & EPF8125S-RC
• Recommended for use with SSI 78Q2120 chips • Low profile, fully integrated with two channels • Add “-RC” after part number for RoHS Compliant • Guaranteed to operate with 8 mA DC bias at 70°C • Complies with or exceeds IEEE 802.3, 10/100Base-TX Standards
Electrical Parameters @ 25° C
OCL @ 70°C 100 KHz, 0.1 Vrms 8 mA DC Bias Cable Side 350 µH 0.1-80 MHz Xmit/Rcv -1/-1 • Insertion Loss (dB Max.) 100 MHz |
Это результат поиска, начинающийся с "8125S", "EPF8125S" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
EPF8125S | PCA ELECTRONICS |
10/100Base-TX Interface Module 10/100Base-TX Interface Module for PC Card Applications
ELECTRONICS INC.
EPF8125S & EPF8125S-RC
• Recommended for use with SSI 78Q2120 chips • Low profile, fully integrated with two channels • Add “-RC” after part number for RoHS Compliant • Guaranteed to operate wit |
|
TA8125S | Toshiba Semiconductor |
DUAL PRE-AMPLIFIER TOSHIBA Bipolar Linear Integrated Circuit Silicon Monolithic
TA8125S
Dual Pre−Amplifier
The TA8125S is dual output preamplifier designed for car or home use.
Features
· High open loop voltage gain
: GVO = 100dB (typ.) at f = 1kHz
· Excellent channel separation and high r |
|
18125A103JAT7A | AVX Corporation |
C0G Dielectric C0G (NP0) Dielectric m o General Specifications .c U 4 t e e h S a at .D w w w
PART NUMBER (see page 2 for complete part number explanation)
0805
Size (L" x W")
Voltage 6.3V = 6 10V = Z 16V = Y 25V = 3 50V = 5 100V = 1 200V = 2
Insulation Resistance (Ohm-Farads)
Temperature C |
|
18125xxxx | AVX Corporation |
C0G Dielectric C0G (NP0) Dielectric m o General Specifications .c U 4 t e e h S a at .D w w w
PART NUMBER (see page 2 for complete part number explanation)
0805
Size (L" x W")
Voltage 6.3V = 6 10V = Z 16V = Y 25V = 3 50V = 5 100V = 1 200V = 2
Insulation Resistance (Ohm-Farads)
Temperature C |
|
81250HG | ETC |
NON-VOLATILE MEMORY/NON-VOLATILE RAM |
|
AGR18125E | TriQuint Semiconductor |
Transistor Product Brief
AGR18125E 125 W, 1.805 GHz—1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor
Introduction
The AGR18125E is a 125 W, 26 V, N-channel goldmetallized, laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) RF power field effect transistor (FET) suitable for global system for mobil |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |