|
EL3012 даташитФункция этой детали – «(el301x - El305x) 6 Pin Dip Random-phase Triac». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
EL3012 | Everlight Electronics |
(EL301x - EL305x) 6 PIN DIP RANDOM-PHASE TRIAC DRIVER PHOTOCOUPLER
6 PIN DIP RANDOM-PHASE TRIAC DRIVER PHOTOCOUPLER
Features:
• Peak breakdown voltage - 250V: EL301X - 400V: EL302X - 600V: EL305X • High isolation voltage between input and output (Viso=5000 V rms ) • Compact dual-in-line package • Pb free and RoHS compliant. • UL approved (No. E214129) • VDE approval (pending) • SEMKO approval (pending) • NEMKO approval (pending) • DEMKO approval (pending) • FIMKO approval (pending) • CSA approval (pending)
EL301X Series EL302X Series EL305X S |
Это результат поиска, начинающийся с "3012", "EL3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N3012 | America Semiconductor |
(1N3000 - 1N3015) 10W Zener Diodes Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
Free Datasheet http://Datasheet.esasheet4u.net/
|
|
1N3012 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 160V 20% 10W 2-Pin DO-4 |
|
1N3012A | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 160V 10% 10W 2-Pin DO-4 |
|
1N3012B | Microsemi Corporation |
10 WATT ZENER DIODES 1N2970 thru 1N3015B and 1N3993 thru 1N4000A
10 WATT ZENER DIODES
SCOTTSDALE DIVISION
DESCRIPTION These high power 10 W Zener diodes represented by the JEDEC registered 1N2970 thru 1N3015B and 1N3993 thru 1N4000A series provide voltage regulation in a selection over a 3.9 V to 20 |
|
1N3012B | Naina Semiconductor |
(1N2970B - 1N3015B) 10 WATT ZENER DIODES |
|
1N3012B | Digitron Semiconductors |
10 WATT ZENER DIODES 1N2970-1N3015B, 1N3993-1N4000A
High-reliability discrete products and engineering services since 1977
10 WATT ZENER DIODES
FEATURES Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. Available as n |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |