DataSheet26.com


E80T даташит

Функция этой детали – «Special Quality Beam Deflection Tube».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
E80T Philips
Philips
  Special Quality Beam Deflection Tube

page 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 E80T sheet 1 1 2 2 3 3 A A B B C C D D FP date 1956.04.04 1957.06.06 1956.04.04 1957.06.06 1956.04.04 1957.06.06 1955.10.10 1957.06.06 1955.10.10 1957.06.06 1955.10.10 1957.06.06 1955.10.10 1957.06.06 1999.06.11
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "80T", "E"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
10B80T American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

Diode ( Rectifier )

pdf
180T2 Comset Semiconductor
Comset Semiconductor

NPN SILICON TRANSISTORS

BDY23, 180 T2 BDY24, 181 T2 BDY25, 182 T2 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol VCEO VCBO VEBO IC IB PTOT TJ TStg Collector-Emitter Voltage Ratings Datasheet.esaSheet.net/ Value BDY23,
pdf
1SS380TF ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Switching Diode

Switching Diode 1SS380TF Applications High speed switching Dimensions (Unit : mm) 1.25±0.1 0.1±0.1     0.05 AEC-Q101 Qualified Land size figure (Unit : mm) 0.9MIN. 1.7±0.1 2.5±0.2 0.8MIN. 2.1 Features 1)Ultra small mold type. (UMD2) 2)High reliability
pdf
2S80TD Analog Devices
Analog Devices

AD2S80A

a Variable Resolution, Monolithic Resolver-to-Digital Converter AD2S80A FEATURES Monolithic (BiMOS ll) Tracking R/D Converter 40-Lead DIP Package 44-Terminal LCC Package 10-,12-,14-, and 16-Bit Resolution Set by User Ratiometric Conversion Low Power Consumption: 300 mW Typ Dyn
pdf
2SC380TM Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon NPN Epitaxial Planar Type Transistor

2SC380TM TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process) 2SC380TM High Frequency Amplifier Applications Unit: mm · High power gain: Gpe = 29dB (typ.) (f = 10.7 MHz) · Recommended for FM IF, OSC stage and AM CONV. IF stage. Maximum Ratings (Ta = 25°C) Ch
pdf
2SC380TM SeCoS
SeCoS

NPN Plastic-Encapsulated Transistor

2SC380TM Elektronische Bauelemente 0.05A , 35V NPN Plastic-Encapsulated Transistor RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free FEATURES  TO-92 G H High Frequency Amplifier Applications J Emitter Collector Base D REF. A B C D E F G H
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты