|
E80T даташитФункция этой детали – «Special Quality Beam Deflection Tube». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
E80T | Philips |
Special Quality Beam Deflection Tube page 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
E80T sheet 1 1 2 2 3 3 A A B B C C D D FP
date 1956.04.04 1957.06.06 1956.04.04 1957.06.06 1956.04.04 1957.06.06 1955.10.10 1957.06.06 1955.10.10 1957.06.06 1955.10.10 1957.06.06 1955.10.10 1957.06.06 1999.06.11
|
Это результат поиска, начинающийся с "80T", "E" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
10B80T | American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
180T2 | Comset Semiconductor |
NPN SILICON TRANSISTORS BDY23, 180 T2 BDY24, 181 T2 BDY25, 182 T2 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA
LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol
VCEO VCBO VEBO IC IB PTOT TJ TStg
Collector-Emitter Voltage
Ratings
Datasheet.esaSheet.net/
Value
BDY23, |
|
1SS380TF | ROHM Semiconductor |
Switching Diode Switching Diode
1SS380TF
Applications High speed switching
Dimensions (Unit : mm)
1.25±0.1
0.1±0.1 0.05
AEC-Q101 Qualified
Land size figure (Unit : mm) 0.9MIN.
1.7±0.1 2.5±0.2
0.8MIN. 2.1
Features 1)Ultra small mold type. (UMD2)
2)High reliability |
|
2S80TD | Analog Devices |
AD2S80A a
Variable Resolution, Monolithic Resolver-to-Digital Converter
AD2S80A
FEATURES Monolithic (BiMOS ll) Tracking R/D Converter 40-Lead DIP Package 44-Terminal LCC Package 10-,12-,14-, and 16-Bit Resolution Set by User Ratiometric Conversion Low Power Consumption: 300 mW Typ Dyn |
|
2SC380TM | Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type Transistor 2SC380TM
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT process)
2SC380TM
High Frequency Amplifier Applications
Unit: mm
· High power gain: Gpe = 29dB (typ.) (f = 10.7 MHz) · Recommended for FM IF, OSC stage and AM CONV. IF stage.
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Ch |
|
2SC380TM | SeCoS |
NPN Plastic-Encapsulated Transistor 2SC380TM
Elektronische Bauelemente 0.05A , 35V NPN Plastic-Encapsulated Transistor
RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
TO-92
G H
High Frequency Amplifier Applications
J
Emitter Collector Base
D
REF. A B C D E F G H |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |